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led芯片的技术发展状况

于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 Nm)22 mw,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 Nm) 18.8 mw,其外量子效率

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274735.html2012/5/16 21:29:01

led芯片的技术发展状况

对于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 Nm)22 mw,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 Nm) 18.8 mw,其外量子效率

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274725.html2012/5/16 21:28:19

led知识概述

极,另一端连接电源的正极,使整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体晶片由两部分组成,一部分是p型半导体,在它里面空穴占主导地位,另一端是N型半导体,在这边主要是电子。但这两种半导体连接起

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274710.html2012/5/16 21:27:34

led知识大全

镓(ga)铟(iN)磷(p)氮(N)锶(si)这几种元素中的若干种组成。  三、led晶片的分类  1、按发光亮度分:  a、一般亮度:r﹑h﹑g﹑y﹑e等  b、高亮度:vg﹑vy

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274699.html2012/5/16 21:27:04

东芝与普瑞光电合作制造出8英寸矽衬底led芯片

虽然东芝和普瑞光电合作仅数月,他们已经对外公布在8英寸矽衬底生长出高品质的gaN,所得led芯片大小为1.1mm。在电压不超过3.1v,电流为350ma的情况下该芯片功耗为61

  https://www.alighting.cn/news/20120516/113503.htm2012/5/16 11:24:52

led产生热量的原因

量,在电场的驱动下,克服pN结的电场,由N区跃迁到p区,这些电子与p区的空穴发生复合。由于漂移到p区的自由电子具有高于p区价电子的能量,复合时电子回到低能量态,多余的能量以光子的形式放

  http://blog.alighting.cn/iled/archive/2012/5/14/274356.html2012/5/14 14:13:49

西班牙巴塞罗那ayre酒店灯光设计

酒店距离巴塞罗那著名的圣家堂(sagrada familia)仅有200米,提供享有全景视野的屋顶休闲露台。ayre rosellóN酒店的客房配有平面电视和免费无线网络连

  https://www.alighting.cn/case/2012/5/11/103319_47.htm2012/5/11 10:33:19

凌力尔特发表可驱动高亮度led的100v电流控制器

N通道金属氧化物半导体场效电晶体(mosfet),并可从标称12伏特输入提供达85伏特的白光led,功率超过50

  https://www.alighting.cn/pingce/20120509/122434.htm2012/5/9 10:49:56

旭明光电紫外光led芯片发光外部量子效率达40%

旭明光电最近宣布,该公司紫外光led芯片波长在390-420Nm时, led的发光外部量子效率已达40%,即所谓的eqe,当供给电流在350ma时,输出功率大于500mw。

  https://www.alighting.cn/news/20120507/113593.htm2012/5/7 16:20:55

玉溪市红塔区

广。境内地层褶皱、断裂构造复杂,水系比较发育,玉溪大河(又名州大河)横贯其间,河流的主干和支干流总长达350多千米,河网密度为0.35,水资源年均总量为4.3亿立方米,其中地下水

  http://blog.alighting.cn/nsurprise/archive/2012/5/7/273675.html2012/5/7 11:25:07

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