站内搜索
配的衬底材料，外延生长的gan薄膜中往往包含有大量的缺陷，其大部分的是线性位错，器件工作时，接触金属的在电应力和热应力的作为下就会沿这些位错线迁移到达结区，从而形成低阻欧姆通道，造
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134120.html2011/2/20 22:55:00
产的要求，而且当采用等离子体辅助方式时，要采取措施避免高能离子对于薄膜的损伤。 2.3 hvpe人们最早就是采用这种生长技术制备出了gan 单晶薄膜。氢化物汽相外延技术是一种化学汽
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134118.html2011/2/20 22:54:00
要能避免ｍｏ ｇａｓ金属有机蒸发源与ｎｈ３在预热区就先进行反应３进料流速与薄膜长成厚度均。一般来说ｇａｎ的成长须要很高的温度来打断ｎｈ３之ｎ－ｈ的键解，另外一方面由动力学仿
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134112.html2011/2/20 22:50:00
不符合传导emi规范。但本文中的设计利用了集成到PI的linkswitch-tn功率转换ic中的频率调制特性，因此可以使用体积更小的emi滤波器。 方案细节 p
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133848.html2011/2/19 23:29:00
用于高能效电源转换的高压集成电路业界的领导者power integrations公司日前宣布为其广受欢迎的linkswitch-ph产品系列再添七款全新led驱动器ic。
https://www.alighting.cn/pingce/20110212/123074.htm2011/2/12 11:56:56
研究人员介绍，通过该技术，相同的输入电能能够多产生2倍的输出光能，对于低电能输入和紫外发光范围的led而言，这种增长非常可观。
https://www.alighting.cn/pingce/20110211/123078.htm2011/2/11 13:28:54
“philips lumileds同其主要竞争对手相比，主要的区别在于其可提高热处理能力的薄膜倒装芯片(tffc)技术和提高光品质的lumiramic荧光技术
https://www.alighting.cn/news/2011210/n619030256.htm2011/2/10 11:55:06
光效果。这种有趣的灯具特性归功于一种叫特卫强（tyvek）的无纺布材料，这种环保材料结合了纸和薄膜的特点，透明而且极其纤薄。激发人们的创造力，根据喜好制作出各种大小形状的圆柱灯和球
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/1/27/129151.html2011/1/27 13:42:00
1。 从结构图中看出，si衬底芯片为倒装薄膜结构，从下至上依次为背面au电极、si基板、粘接金属、金属反射镜(p欧姆电极)、gan外延层、粗化表面和au电极。这
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127090.html2011/1/12 17:23:00
于室外(路灯等)，室内照明(射灯等)，本方案主要介绍其60毫瓦白光led cl-822在室内照明日光灯管当中的应用。 power integrations(简称PI)公
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127036.html2011/1/12 16:41:00
