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法兰克福展览公司收购Lightfair(美国国际照明展)公司股份

此,Lightfair将成为Light + building品牌国际网络的一部

  https://www.alighting.cn/news/20240228/175929.htm2024/2/28 10:02:01

第九届云知光论坛议程及嘉宾大公开!12月7日邀你相约广州设计周!

12月7日,由云知光联合广州设计周主办的以“顺光而为/ be right Light”为主题的第九届云知光论坛将在广州国际采购中心b1-10a举行。

  https://www.alighting.cn/news/20241203/176667.htm2024/12/3 11:08:49

国际期刊上的中国智慧!升谱光电联合天津工业大学取得突破性研究成果

近日,升谱光电联合双流一高校天津工业大学在多学科交叉融合领域的研究中取得重大进展,其最新学术论文以题为《a dimmable led Light source along th

  https://www.alighting.cn/news/20250123/176776.htm2025/1/23 10:01:43

高性能背照式gan/algan p-i-n紫外探测器的制备与性能

石,缓冲层为aln,n型层采用厚度为0.8μm的Si掺杂al0.3ga0.7n形成窗口层,i型层为0.18μm的非故意掺杂的gan,p型层为0.15μm的mg掺杂gan。采用cl2、a

  https://www.alighting.cn/resource/20130522/125583.htm2013/5/22 10:23:13

用于微机电系统的类金刚石膜制备及表征

采用等离子体源离子注入和电子回旋共振-微波等离子体辅助化学气相沉积技术相结合的方法在Si衬底上制备出子性能良好的类金剐石膜.通过共聚焦raman光谱验证亍薄膜的类金刚石特性,用原

  https://www.alighting.cn/2013/2/1 14:17:59

led芯片价格下降的三种途径

种材料价格都非常昂贵,且都为国外大企业所垄断,导致芯片价格一直居高不下。为突破国际专利壁垒,国内已经启动了Si衬底材料的研究并已经取得了一些进展。用Si做衬底材料价格会低的多,不仅因

  http://blog.alighting.cn/luhfhy/archive/2010/7/1/53723.html2010/7/1 17:06:00

改变oled的亲水性/斥水性

金, 铜等)没有损伤,对硅及硅化合物(如Sio2 或 Si3n4)仅有极轻微损伤。蚀刻的速度快,能同时对带有不同厚度光刻胶的基板进行蚀刻,还可以剥离超厚光刻胶层(大于1mm),可进

  http://blog.alighting.cn/isbelle/archive/2010/9/18/97693.html2010/9/18 11:39:00

led芯片知识-什么是mb、gb、ts、as芯片

易。2﹕通过金属层来接合(wafer bonding)磊晶层和衬底,同时反射光子,避免衬底的吸收。3: 导电的Si 衬底取代gaas 衬底,具备良好的热传导能力(导热系数相差3~4

  http://blog.alighting.cn/Antonia/archive/2010/11/18/115018.html2010/11/18 16:06:00

[转载]常用光学名词解释及单位

光)是一Si制单位。发光强度是一光源所发出的可见光之光通量的大小。亮度(luminance)lv坎德拉每平方米cd/m2单位有时被称作"nits"。照度(illuminance)ev勒克

  http://blog.alighting.cn/cqlq123/archive/2011/4/22/166613.html2011/4/22 9:28:00

led芯片降价空间大 可通过三种途径

所垄断,导致芯片价格一直居高不下。为突破国际专利壁垒,国内已经启动了Si衬底材料的研究并已经取得了一些进展。用Si做衬底材料价格会低的多,不仅因为Si衬底本身的价格比蓝宝石和Sic

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/233061.html2011/8/19 23:49:00

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