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浪潮华光亮剑城市道路照明领域，在国外厂商一统城市道路照明用芯片的大背景下率先实现突围。2011年9月，潍坊市北海路北段新建主干道20千米路程的路灯中部分采用浪潮华光自主生产的le
https://www.alighting.cn/news/2011916/n223734503.htm2011/9/16 9:29:56
长光照明技术负责人宣布：公司拥有完全自主知识产权，基于多芯片集成cob直接封装的lED面光源技术光效已达130lm/w，整灯光效以大于100lm/w，成为业界最高光效、最亮的多芯
https://www.alighting.cn/resource/20100712/127969.htm2010/7/12 17:15:51
lED的基本结构是一个半导体的pn结。实验指出,当电流流过lED元件 时,pn结的温度将上升,严格意义上说,就把pn结区的温度定义为lED结温。通常由于元件芯片均具有很小的尺
https://www.alighting.cn/resource/20101129/128177.htm2010/11/29 17:50:40
在简要介绍超高亮lED的特点以及特性的基础上，详细介绍了lED的电阻限流、线性调节器和开关调节器等驱动方式，在此基础上介绍了超高亮lED的驱动芯片mlx10801的功能和应用。并
https://www.alighting.cn/resource/20101028/128250.htm2010/10/28 15:16:25
晶科电子“e系列”产品是基于apt专利技术—倒装焊接技术，实现了单芯片及多芯片模组的无金线、无固晶胶封装，具有高亮度、高光效、高可靠性、低热阻、颜色一致性好等特点。
https://www.alighting.cn/news/2012312/n920438104.htm2012/3/12 11:51:07
lED的基本结构是一个半导体的p—n结。实验指出，当电流流过lED组件时，p—n结的温度将上升，严格意义上说，就把p—n结区的温度定义为lED的结温。通常由于组件芯片均具有很
https://www.alighting.cn/resource/20081218/128962.htm2008/12/18 0:00:00
早期在小积体电路时代，每一个6吋的外延片上制作数以千计的芯片，现在次微米线宽的大型vlsi,每一个8吋的外延片上也只能完成一两百个大型芯片。外延片的制造虽动輒投资数百亿，但却是所
https://www.alighting.cn/resource/20091013/128998.htm2009/10/13 0:00:00
uv-lED单个芯片面积小，便于灵活设计；但相应的是单个芯片的辐射功率也较低，在很多应用中难以满足高辐射功率密度的要求，这也是目前uv-lED在众多领域很难替代uv放电灯的重要原
https://www.alighting.cn/resource/20160120/136590.htm2016/1/20 14:08:46
2015年是lED产业很低潮的一年，尤其是中上游，经历了产能过剩，芯片与灯珠一个月一个价，跌跌不休让芯片与灯珠的议价几乎是一个很痛苦的过程，相信很多从事lED技术的人跟我一样有一
https://www.alighting.cn/resource/20160220/137084.htm2016/2/20 10:15:08
mjt是多p/n结技术，它的驱动电压要比常规的lED的驱动电压高。市场上的高压lED实际上是许多lED芯片串并联而成，电路设计复杂，mjt则采用多junction 技术集成在同
https://www.alighting.cn/news/2014227/n939360266.htm2014/2/27 13:19:10
