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芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

离的扩展电极下的电流密度大,增加p焊线电极与n电极的距离,使芯片等效体电阻变大,vf升高。  图4所示的各种版图芯片的p-i特性表明,在20ma以下,各种gan基led芯片的p-

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258586.html2011/12/19 11:01:38

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

离的扩展电极下的电流密度大,增加p焊线电极与n电极的距离,使芯片等效体电阻变大,vf升高。  图4所示的各种版图芯片的p-i特性表明,在20ma以下,各种gan基led芯片的p-

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261482.html2012/1/8 21:45:35

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

离的扩展电极下的电流密度大,增加p焊线电极与n电极的距离,使芯片等效体电阻变大,vf升高。  图4所示的各种版图芯片的p-i特性表明,在20ma以下,各种gan基led芯片的p-

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262654.html2012/1/29 0:35:55

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

离的扩展电极下的电流密度大,增加p焊线电极与n电极的距离,使芯片等效体电阻变大,vf升高。  图4所示的各种版图芯片的p-i特性表明,在20ma以下,各种gan基led芯片的p-

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271756.html2012/4/10 23:31:25

高亮度led太阳能路灯照明系统设计方案

定在mpp 附近,从而有效利用了太阳能板可输出的最大功率。  二、太阳电池的电路模型  图1 示出太阳电池的电路模型。通常,材料内部的等效并联电阻rsh 值大,而材料内部的等效串联电

  http://blog.alighting.cn/108092/archive/2012/4/19/272397.html2012/4/19 9:22:44

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

离的扩展电极下的电流密度大,增加p焊线电极与n电极的距离,使芯片等效体电阻变大,vf升高。  图4所示的各种版图芯片的p-i特性表明,在20ma以下,各种gan基led芯片的p-

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274765.html2012/5/16 21:30:35

道路照明设计设计标准的新概念

具在司机眼中产生的“等效光幕亮度”lv及平均亮度lav计算得到。ti=■其中等效光幕亮度lv=k■■eeyei为第i个眩光源在垂直于视线方向上的人眼视网膜上的照度(lx);θi为视

  http://blog.alighting.cn/144336/archive/2012/6/20/279131.html2012/6/20 9:59:44

节能环保的新方向——led灯带

线追逐或流水追逐效果,用于装饰亮度要求较高的场所或动感效果强烈的地方,我们可根据客户的要求定制常亮、变色等效果。3.扁三线的led灯带: led扁三线灯带采用直径3mm超高亮度le

  http://blog.alighting.cn/glamor_/archive/2012/7/23/282953.html2012/7/23 16:05:52

照明技术:全面剖析led射灯灯具(下)

述《gb 50034-2004 建筑照明设计标准》要求,根据使用场合确认色温、显色指数以便达到想要的照明效果。如果对灯具参数不是很懂的情况下,可以查看包装上的等效标示,看等效于多少功

  http://blog.alighting.cn/zgf/archive/2012/11/7/296669.html2012/11/7 17:52:13

照明技术:全面剖析led射灯灯具(下)

述《gb 50034-2004 建筑照明设计标准》要求,根据使用场合确认色温、显色指数以便达到想要的照明效果。如果对灯具参数不是很懂的情况下,可以查看包装上的等效标示,看等效于多少功

  http://blog.alighting.cn/121736/archive/2012/11/8/296733.html2012/11/8 11:12:30

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