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LED照明面临价格、渠道多方挑战

目前,几乎每个行业都竭力削减能源成本,这个需求促使LED技术成为近年来发展及增速最快的领域之一,而这一趋势在亚太地区尤为突出。亚太地区对于前沿的 LED技术需求猛增,特别是太阳

  https://www.alighting.cn/news/201283/n219141975.htm2012/8/3 12:01:47

德国总理默克尔访华背后:“三思”国内LED产业

据了解,中德贸易展中欧贸易的近三分之一,从本次访问中,小编我从德国对华的LED技术、质量的标杆和汽车市场的龙头来分析国内LED产业如何破除现有的隐忧变成全球LED行业的龙头。

  https://www.alighting.cn/news/20140709/87071.htm2014/7/9 10:23:58

芯片大小和电极位置对gan基LED特性的影响

摘 要:用同种gan基LED外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基LED芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232804.html2011/8/19 0:06:00

芯片大小和电极位置对gan基LED特性的影响

摘 要:用同种gan基LED外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基LED芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258586.html2011/12/19 11:01:38

芯片大小和电极位置对gan基LED特性的影响

摘 要:用同种gan基LED外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基LED芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261482.html2012/1/8 21:45:35

芯片大小和电极位置对gan基LED特性的影响

摘 要:用同种gan基LED外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基LED芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262654.html2012/1/29 0:35:55

芯片大小和电极位置对gan基LED特性的影响

摘 要:用同种gan基LED外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基LED芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271756.html2012/4/10 23:31:25

芯片大小和电极位置对gan基LED特性的影响

摘 要:用同种gan基LED外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基LED芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274765.html2012/5/16 21:30:35

LED产业推广政策宜深刻反思 防畸形发展

乎全部依赖进口,高档外延芯片生产工艺的核心技术专利技术大部分被国外大厂商掌握。随着LED专利战硝烟四起,国内企业应意识到人才的重要性。人才紧缺难题如不能被破解,国内LED产业发展无

  http://blog.alighting.cn/jadsion/archive/2012/11/2/295839.html2012/11/2 10:04:13

京瓷推出间距0.4mm微矩阵LED显示器

京瓷开发出了在长宽6.4mm×6.4mm的底板上集成32×32个LED的“微矩阵LED”。并在“ceatec 2008”上参考展示了由上述3个微矩阵LED拼接而成的显示器。现在

  https://www.alighting.cn/news/20081008/119667.htm2008/10/8 0:00:00

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