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单片机系统中led显示驱动电路的研究

g和dp分别为led七段驱动器线和小数点线,供给显示器源电流;dig0~dig7为8位数字驱动线,输出位选信号,从每位led阴极吸入电流。 图3 max7219 引脚功

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134180.html2011/2/20 23:23:00

白光型发光二极管之背光设计

往电子照明领域迈进,包括汽车的方向辅助灯、初阶数字相机的闪光灯等都已能用wled代替,更有甚者,已有业者将wled的裸面积加大制造,从2×2mm扩增至5×5mm,增强其发光,

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134167.html2011/2/20 23:15:00

lvds高速数据传输技术在全彩led控制系统中的应用

子的集成度,并使整个系统信号传输稳定,成本降低。 1 基于lvds的数据传输硬件设计 1.1 全彩led控制系统 全彩是指显示屏上每像素的颜色显示采用24bit,显示1

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134160.html2011/2/20 23:12:00

基于avr单片机的led显示屏的灰度设计与实现

8个数据位,1个地址/数据标示位,1个停止位11位。数据传输码率为625 kb/s,字节传输速率为56.8 kb/s。每个子模块由256个led构成,实现16阶灰度每个led需要

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134156.html2011/2/20 23:10:00

基于tpic6b273的led驱动控制设计

种led显示点阵模块都采用阵列形式排布,即在行列线的交点处接有显示led。因此,led点阵显示模块的显示驱动只能采用动态驱动方式,每次最多只能点亮一行led(阳形式led显示点阵模

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134158.html2011/2/20 23:10:00

高亮度led封装工艺技术及方案

现,各大led生产商在上游磊技术上不断改进,如利用不同的电极设计控制电流密度,利用ito薄膜技术令通过led的电流能平均分布等,使led芯片在结构上都尽可能产生最多的光子。再运用各

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134146.html2011/2/20 23:06:00

oled mg/ag阴极的真空蒸镀及成膜特性

l,al/li,sn/al和ag/al等。其中,以低功函数的金属mg 和高功函数且化学性能比较稳定的金属ag 蒸形成的合金阴极mg/ag(10:1)应用最为广泛。另外,将alq3与纳米

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134138.html2011/2/20 23:04:00

可拍照手机的led闪光灯实现方案

个模块垂直层叠,其组合后的尺寸只有7.0×4.4mm2。 大多数led闪光灯模块采用阳级方式将led连在一起。闪光灯模块的串行级联需要驱动器能同时提供高电流和高电压,而将它

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134133.html2011/2/20 23:00:00

高亮度led之「封装光通」原理技术探析

顺向导通电流(vf×if,f=forward)求得。■裸层:「量子井、多量子井」提升「光转效率」 虽然本文主要在谈论led封装对光通量的强化,但在此也不得不先说明更深层核心的裸

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134124.html2011/2/20 22:58:00

技术洞察-突破ingan缺陷障碍 积极应用不均匀的结结构

基板,所以相对来说会比便宜、耐高温的蓝宝石更广泛应用于其它的基板。不过也因为如此,和传统的钾砷等led材料 相比,也存在着非常多的缺点。因为这些结构缺点和原子的缺陷,电子和电

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