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大功率LED封装工艺及方案的介绍及讨论：封装主要目的是为了确保半导体芯片和下层电路间之正确电气和机械性的互相接续，及保护芯片不让其受到机械、热、潮湿及其它种种的外来冲击。选择封
https://www.alighting.cn/resource/2011/4/20/155957_08.htm2011/4/20 15:59:57
近期，晶能光电宣布其硅衬底大功率LED芯片系列已经通过了6,000小时的美国环保署认可的第三方ies lm80测试，公司现可根据需要提供lm80测试数据。
https://www.alighting.cn/pingce/20131016/121679.htm2013/10/16 13:34:10
在si衬底gan 基蓝光LED 芯片上生长了一层sion 钝化膜，使器件的光输出功率提高12%且有效降低了器件在老化过程中的光衰。
https://www.alighting.cn/resource/20141010/124221.htm2014/10/10 14:53:30
目前，通过芯片本身能驱动的每个LED电流范围为25ma到100ma之间。当然，对于一些大电流的应用场合，我们只需用外加场效应管的方式来实现。
https://www.alighting.cn/resource/20131108/125142.htm2013/11/8 13:47:21
常州市争一无线电配件厂生产的京瀅牌LED装饰灯，利用大面积芯片及特殊封装技术，提供高了光功率，通过「中国国家强制性产品认证」。
https://www.alighting.cn/news/20071029/93390.htm2007/10/29 0:00:00
avagotech（安华高）宣布推出两款新soc系统化单芯片laserstream与LED光学导航感测器产品，适合usb有线电脑鼠标以及各种其它输入设备应用。
https://www.alighting.cn/news/20090515/119422.htm2009/5/15 0:00:00
bcd半导体有限公司新推出了一款wLED芯片，芯片电压范围较大，因而在一定程度上降低了驱动损耗,提高了工作效率。该芯片的输入输出电流得到了控制，因而提高了系统的安全性和实用性。
https://www.alighting.cn/news/20101229/105474.htm2010/12/29 13:43:29
单芯片方案采用微型、3mm×3mm×0.8mm的tqfn封装，与标准的两片式方案相比尺寸减小50%。max8678的负电压架构完全消除了电池放电时高边阻性、延迟1x至2x模式切换瞬
https://www.alighting.cn/news/20070625/117770.htm2007/6/25 0:00:00
本文主要是研究粘贴在不同位置的芯片表面的残余应力，并且原位测量热处理过程中的应力变化过程。欢迎下载!
https://www.alighting.cn/resource/2013/8/15/153453_63.htm2013/8/15 15:34:53
在打造节能环保的低碳经济思路下，我国LED产业的“蛋糕”正快速做大。csa资料显示，预计到2015年，国内LED市场规模将达到5000亿元以上，年复合增速将达38%。如此大的市
https://www.alighting.cn/news/20110805/90924.htm2011/8/5 10:23:52
