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为砷化镓、磷化铟等光电子材料外延片制备的核心生长技术。目前已经在砷化镓、磷化铟等光电子材料生产中得到广泛应用。日本科学家nakamura将mocvd应用氮化镓材料制备,利用他自己研
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229933.html2011/7/17 23:23:00
与了国家工信部8项国家标准的制定，并取得了多项处于国内领先水平的研发成果。 推荐人：中国赛西(广州)实验室 李职
http://blog.alighting.cn/lizhiji123/archive/2015/3/12/366520.html2015/3/12 20:19:27
ansi c78.1421-2002 投射灯尺寸和中心定位系统.gz4基的35mm整体反射轮辋标准灯
https://www.alighting.cn/resource/2011/5/3/173015_38.htm2011/5/3 17:30:15
d生产企业——美国旭明公司(semileds corporation )。这台新的vector将被安装在佛山旭瑞光电的生产车间里，用于生产金属基垂直结构高效le
https://www.alighting.cn/news/20110707/115265.htm2011/7/7 12:14:21
a technologiescompany)昨(16)日宣布发表专属之8寸外延片级led硅基封装技术,并以此项技术提供高功率led之封装代工服务,对于有高性能需求、微型化以及具成本竞争力的固态式照
http://blog.alighting.cn/VisEraLED/archive/2011/7/26/230915.html2011/7/26 21:39:00
料生产中得到广泛应用。日本科学家nakamura将mocvd应用氮化镓材料制备,利用他自己研制 的mocvd设备(一种非常特殊的反应室结构),于1994年首先生产出高亮度蓝光和绿光发
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229947.html2011/7/17 23:29:00
衬底材料砷化镓单晶、氮化铝单晶等。它们大部分是iii-v族化合物半导体单晶，生产工艺比较成熟，已有开启即用的抛光征供货。其他原材料还有金属高纯镓，高纯金属有机物源如三甲基镓、三乙基
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2010/10/20/109152.html2010/10/20 17:35:00
巴(mbar)以上的高压下能以极高的速率完成高质量的氮化镓(gan)沉淀，产量超过前一代系统的1倍，氮化镓/氮化铟镓(ingan)也有优异的均一性。在无反应炉烘培或替换任何零件的情况
https://www.alighting.cn/news/20100301/119941.htm2010/3/1 0:00:00
大功率点和浮充两种方式对蓄电池进行充电，并对蓄电池进行管理，以防止过充和过放，led路灯恒流输出，系统已经正常工作了2个月。虽然防反充二极管选用的是肖特基二极管，但是，损耗还是比较
https://www.alighting.cn/2013/1/24 15:38:23
晶能光电(江西)有限公司董事长江风益： 晶能光电先后推出了2类4种规格的硅衬底led芯片，年产能达到30亿粒(小芯片)。 “在氮化镓基半导体发光材料领域，晶能光电创造性发
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120522.html2010/12/13 22:53:00
