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江西led照明专案获政府资助5000万元

2月9日,江西省科技厅透露,江西省“大尺寸si衬底GaNled外延生长、芯片制备及封装技术” 课题获得“十二五”国家高技术研究发展计划资助5000多万元人民币,居全国14项课

  https://www.alighting.cn/news/20120210/99824.htm2012/2/10 9:38:19

大连美明led外延片项目获国家科学技术进步二等奖

2012年2月14日,2011年度国家科学技术奖励大会在北京隆重举行,大连美明外延片科技有限公司、中国科学院物理研究所、清华大学和大连路美芯片科技有限公司联合研发的《GaN蓝绿

  https://www.alighting.cn/news/20120216/99936.htm2012/2/16 10:58:26

瑞萨电子争做业内领先的化合物半导体供应商

它重点产品获取全球最大的市场份额。在2011年3月之前推出氮化鎵(GaN)半导体产

  https://www.alighting.cn/news/20101109/107538.htm2010/11/9 0:00:00

translucent宣布vGaN晶片模板的商业可行性

translucent称其vGaN产线是世界上第一条可盈利的可扩展reoGaN衬底“iii-n半导体”的生产源。透明reo层的应用使得其产品在应力消除、晶体生长面平整度方面表

  https://www.alighting.cn/news/20110811/115128.htm2011/8/11 10:01:28

theleds再添aixtron mocvd生产led

d的订单,这两台mocvd将送往theleds在韩国wonsam-myun的半导体工厂量产高亮蓝光GaNled,用于应对客户对高亮led芯片需求的增

  https://www.alighting.cn/news/20070912/117222.htm2007/9/12 0:00:00

晶电转攻氮化镓功率元件及特殊照明市场

历经过去几年惨烈价格战,led厂商纷纷寻求新市场并改变策略。晶电研发中心副总经理谢明勋在2015年ledforum演讲中表示,晶电选择切入利市场,聚焦氮化镓功率元件(ga

  https://www.alighting.cn/news/20151103/133844.htm2015/11/3 9:26:56

硅衬底led缘何能获“国家科学技术发明一等奖”?

尘埃落定,2015年度国家科学技术发明一等奖于今日正式揭晓,“硅衬底高光效GaN蓝色发光二极管”项目(简称硅衬底)摘得了此桂冠。十年磨一剑,硅衬底led技术终于迈向了新征程,

  https://www.alighting.cn/news/20160108/136208.htm2016/1/8 12:04:02

南昌市每年安排5000万扶持led企业重要技术开发

今年,南昌大学江风益教授所率团队研发的“硅衬底高光效GaN蓝色发光二极管”项目一举拿下国家技术发明一等奖,整个led产业为之振奋,打造“南昌光谷”,力争到2020年实现产业规

  https://www.alighting.cn/news/20161017/145190.htm2016/10/17 9:40:13

2016国家科学技术奖揭晓,这项led技术获二等奖

值得一提的是,继“硅衬底高光效GaN蓝色发光二极管”获得2015年国家技术发明一等奖后,半导体照明行业在2016年度科技奖励大会上再次斩获奖项,“多界面光-热耦合白光led封

  https://www.alighting.cn/news/20170110/147436.htm2017/1/10 9:38:55

乌克兰辅顶楼公寓家居照明(三)

乌克兰基辅顶楼公寓由vyacheslav balbek, olga bogdanova, alena makagon设计。公寓是一个3级的阁楼,位于城市的心脏dniep??er河。

  https://www.alighting.cn/case/2011/11/25/115224_43.htm2011/11/25 11:52:24

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