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世界led外延片产业发展报告

从led上游看,集中度加速提升,形成较高行业壁垒,扼制无序产能扩张;同时下游应用创新驱动产业链发展。从目前情况看,led照明加速渗透,led照明智能化、网络化推动小间距显示市场加速

  https://www.alighting.cn/news/20170213/148063.htm2017/2/13 10:05:53

衬底温度对al_2o_3(0001)表面外延6h-sic薄膜的影响

采用固源分子束外延技术,以α-al2o3(0001)为衬底,在不同衬底温度下制备了6h-sic薄膜。利用反射式高能电子衍射、原子力显微镜、x射线衍射对生长样品的结构和结晶质量进

  https://www.alighting.cn/resource/20110831/127221.htm2011/8/31 16:05:19

中美晶:q2持平q1,蓝宝石外延片成今年爆发力产品

.91%,蓝宝石外延片将是中美晶2009年最具爆发力的产品,目前正由台湾本地和海外客户进行认证

  https://www.alighting.cn/news/20090423/116239.htm2009/4/23 0:00:00

硅衬底上GaN基led的研制进展

行探索。由于GaN材料的电荧光对晶体缺陷并不敏感,因此人们预期在si衬底上异质外延生长ⅲ族氮化物发光器件在降低成本方面具有明显的技术优势。   人们还期待使用si衬底今后还有可能

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/126998.html2011/1/12 0:46:00

非晶玻璃衬底GaN leds 问世

近日,三星尖端技术研究所和首尔大学宣布开发出了第一个由非晶玻璃衬底制造的发光二极管。

  https://www.alighting.cn/news/20111212/99724.htm2011/12/12 15:30:51

GaN基功率led电应力老化早期的退化特性

对inGaN/GaN多量子阱蓝光和绿光led进行了室温900ma电流下的电应力老化,发现蓝光led老化到24小时隧穿电流最小,绿光led到6小时隧穿电流最小。

  https://www.alighting.cn/resource/20150228/123557.htm2015/2/28 15:16:34

led外延片工艺led词条

衬底 - 结构设计 - 缓冲层生长 - n型GaN层生长 - 多量子阱发光层生 - p型GaN层生长 - 退火 - 检测(光荧光、x射线) - 外延片   外延片- 设计、加工

  http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120508.html2010/12/13 22:43:00

2011年底全球mocvd设备数量有望达2500台

为了迎接市场对于蓝光led外延/芯片的需求,displaybank预期到了2011年第一季全球用来生产蓝光led的mocvd设备安装数量将上升至2000台,到了2011年底则将继

  https://www.alighting.cn/news/20100827/103081.htm2010/8/27 0:00:00

2013ls:华灿光电—大电流应用下的led外延与芯片关键技术研究

本资料来源于2013新世纪led高峰论坛,是由华灿光电股份有限公司的王江波/研发经理主讲的关于介绍《大电流应用下的led外延与芯片关键技术研究》的讲义资料,现在分享给大家,欢迎下

  https://www.alighting.cn/2013/6/17 11:30:17

市场传出led外延台厂晶电将与光宝、联电联手布局中国led市场

日前市场传出消息,led外延台厂晶电,将主动与封装厂共同开发客户,分别与光宝、联电携手布局大陆led市场,总合资金额将达新台币1.2亿美元(约新台币38.4亿元)。

  https://www.alighting.cn/news/20100308/120366.htm2010/3/8 0:00:00

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