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led照明灯mocvd外延生长技术

一份出自晶能光电公司的关于介绍《led照明灯mocvd外延生长技术》的讲义资料,分享了衬底材料的选择,以及外延技术的发展趋势等内容,现在分享给大家,欢迎下载附件查看详细内容。

  https://www.alighting.cn/2013/7/26 10:57:01

cl_2/bcl_3icp刻蚀蓝宝石研究

本文研究了icp刻蚀蓝宝石中工艺参数对蓝宝石刻蚀速率的影响规律,所用气体为cl2/bcl3,研究结果表明,蓝宝石的刻蚀速率随着icp功率、rf功率和气体总流量的增大单调增大;随着压

  https://www.alighting.cn/resource/20130416/125723.htm2013/4/16 10:49:04

蓝宝石衬底详细介绍

一份关于蓝宝石衬底的详细介绍,现在分享给大家,欢迎各位下载附件,查看详细内容。

  https://www.alighting.cn/2013/3/19 11:05:11

led用蓝宝石基板(衬底)详细介绍

一份关于led用蓝宝石基板(衬底)的详细介绍,现在分享给大家,欢迎大家下载查看。

  https://www.alighting.cn/2013/3/13 10:30:12

外延生长|磊晶(epitaxial growth)

在合适的衬底基片上生长结晶轴相互一致的结晶层的技术。用于制作没有杂质和缺陷的结晶层。包括在基片上与气体发生反应以积累结晶层的vpe(气相生长)法、以及与溶液相互接触以生长结晶相的l

  https://www.alighting.cn/resource/20130201/126068.htm2013/2/1 16:14:51

大功率led设计法则

本文讲述大功率外延片芯片在设计过程中所应该着重注意的几点,对上游工程师和结构设计的工作人员有比较好的借鉴作用,推荐阅读;

  https://www.alighting.cn/resource/20111021/126981.htm2011/10/21 12:51:24

led照亮一切:使每个封装实现1万lm的光通量

关于“光通量的大小”,计划一个封装实现1000lm以上的光通量。对产品厂商而言,在采用多个白色led的用途方面,具有可减少部件数量、提高产品设计自由度等优点。光通量超过1000lm

  https://www.alighting.cn/resource/20110628/127487.htm2011/6/28 13:56:53

实现200lm/w以上的发光效率和高易用性

为实现200lm/w以上的发光效率,白色led正不断进行改进。不过,白色led所必需具备的特性已经不仅仅是发光效率了。在白色led普及的过程中,温度稳定性及显色指数等能够拉开差异的

  https://www.alighting.cn/resource/20110627/127491.htm2011/6/27 19:08:40

led外延片介绍以及辨别外延片质量方法

外延生长的基本原理是:在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和sic,si)上,气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生长技

  https://www.alighting.cn/resource/20110428/127684.htm2011/4/28 11:47:30

白光led的奈米结构控制技术

氮化镓的格子缺陷很多却能够产生高辉度,主要原因是藉由奈米 技术控制组件结构,使得组件的发光效率得以提高,进而获得高辉度。因此本文要深入探讨氮化镓发光的奥秘,与提高发光效率的方法。

  https://www.alighting.cn/resource/20060217/128920.htm2006/2/17 0:00:00

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