检索首页
阿拉丁已为您找到约 12888条相关结果 (用时 0.0131181 秒)

材料

材料材料车用途及适用范围 材料车适用于地下开采的矿山,沿地下巷道及地表工业场地运输支护材料及其他材料材料车系列技术参数 型号容积(m) 载重( t) 轨距 (m

  http://blog.alighting.cn/zhongmei009/archive/2010/4/23/41486.html2010/4/23 16:25:00

材料

材料材料车用途及适用范围 材料车适用于地下开采的矿山,沿地下巷道及地表工业场地运输支护材料及其他材料材料车系列技术参数 型号容积(m) 载重( t) 轨距 (m

  http://blog.alighting.cn/zhongmei009/archive/2010/4/23/41487.html2010/4/23 16:25:00

利用氩气改善p型GaN led的性能

虽然GaN leds的发展相当成功,但是使用有机金属化学气相沉积(mocvd)制程却让它们的p型掺杂

  https://www.alighting.cn/resource/20100712/127976.htm2010/7/12 18:09:51

利用表面粗化技术提高发光二极管的出光效率

GaN材料在光电器件中的应用,得到了越来越多人的关注。由于近来 GaN 基发光二极管的亮度取得了很大的提高,使得 GaN 基发光二极管在很多领域都取得了应用,例如交通信号灯

  https://www.alighting.cn/resource/20070119/128948.htm2007/1/19 0:00:00

基于不同衬底材料高出光效率led芯片研究进展

提高led芯片的出光效率是解决led光源大功率化和可靠性的根本。根据led芯片所用衬底材料的不同,总结了近年来提高GaN基led出光效率的研究进展,介绍了新的设计思路、工艺结构

  https://www.alighting.cn/2014/10/24 11:41:38

中村修二:inGaN是奇迹般材料 日媒诺奖报道有失偏颇

“inGaN的确是一种奇迹般的材料。没有这种材料,就无法实现高亮度蓝色led。”因开发蓝色led而获得2014年诺贝尔物理学奖的美国加州大学圣塔芭芭拉分校(ucsb)教授中村修

  https://www.alighting.cn/news/20150729/131339.htm2015/7/29 9:31:37

GaN led量子阱光发射模型

在分析GaN led量子阱结构对载流子限制和俘获的基础上,考虑量子限制stark效应和franz-keldysh效应,提出了一种基于inGaN有源区的载流子复合及光发射模型.模

  https://www.alighting.cn/resource/20110916/127131.htm2011/9/16 15:14:50

ims reseach:《GaN led季度供需报告》

近日,ims reseach 发布了最新《GaNg led季度供需报告》,报告显示,2011年 GaN led封装总产值为80亿美元,同比下降了6%。2016年,GaN led市

  https://www.alighting.cn/news/20120329/99682.htm2012/3/29 17:26:59

纤锌矿GaN柱形量子点中类氢施主杂质态

在有效质量近似和变分原理的基础上,选取含两个变分参数的波函数,研究了纤锌矿结构的gan/alxga1-xn单量子点中类氢施主杂质体系的结合能随量子点(qd)尺寸以及杂质在量子点中位

  https://www.alighting.cn/2013/5/24 10:08:12

蓝色有机发光材料的合成及其发光特性

通过调整alq3的厚度, 同时在a lq3和al阴极之间加入lif薄膜以提高电子注入效率, 获得了较为理想的实验结果。

  https://www.alighting.cn/resource/20150310/123491.htm2015/3/10 13:34:22

首页 上一页 59 60 61 62 63 64 65 66 下一页