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产。据预测,到2005年国 际上led的市场需求量约为2000亿只,销售额达800亿美元。在led产业链接中,上游是led衬底晶片及衬底生产,中游的产业化为led芯片设计及制造生
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耗(最大损耗在彩色滤光片),实际输出的光亮度约为800nits。同样是输出800nits的光亮度,由于去除彩色滤光片使得光效率提升三倍,再考虑开口率的提高,rgb-led背光源只
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常压或低压(≈10kpa)下于通h2的冷壁石英反应器中进行,衬底温度为600-800℃,用射频加热石墨支架,h2气通过温度可控的液体源鼓泡携带金属有机物到生长区。一般的mocvd设
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229936.html2011/7/17 23:24:00
测,到2005年国际上led的市场需求量约为2000亿只,销售额达800亿美元。在led产业链接中,上游是led衬底晶片及衬底生产,中游的产业化为led芯片设计及制造生产,下游
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229929.html2011/7/17 23:21:00
时也会达到800℃∼900℃,在这样的高耗电机构下,就必须使用交流(ac)电源驱动,及复杂的电源电路和必要的散热解决方案。且因超高压水银灯和荧光灯发光的原理是一样的,所以依靠汞的激
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白光led没有明确的波长。)图6.增加的正向电流通过改变其发射波长而改变了蓝光led的色彩。当正向电流高至10ma时,正向电压的变化很大。变化量的范围大约为800mv(有些二极管型
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小了外部组件的尺寸。此外,开关频率可同步至一个外部时钟。 具10,000:1truecolorpwm调光的60v降压型led驱动器。 lt3596采用一个800ma、60v内部开
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c,提供800ma峰值电流,还提供过功率保护、内置斜坡补偿及输入欠压保护等特性,适用于在通用宽电源输入的应用中提供几瓦至15w的输出功率。除了基于ncp1028的无pfc方案,安森
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续方式工作。ap1661的图腾柱驱动输出能够为外部mosfet或igbt提供最大600ma驱动电流和800ma关断电流能力。采用了先进的双极型互补金属氧化物半导体设计和制造工艺,具
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次是对流。 下面的等式给出了以传导方式热传递的数学模型： 其中h是传热速率(单位为j/s),k为材料的导热系数,a为面积,(th–TL)为温差,d为距离。当界面之间的接触面积增
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