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大的差距,同日美等国相比在总体水平上至少要落后10-15年,但在高密度小型led智能矩阵显示器的研究方面成功研制了5020型等高密度led平板显示器,像素密度达到5-6个/mm2。表
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258564.html2011/12/19 11:00:39
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258563.html2011/12/19 11:00:36
丝本身的材料熔点,一般原厂的 60W 卤素灯也顶多产生 3000~3200k 的色温度；若是改装灯泡,藉由提高钨丝电阻及瓦数, 100W 灯泡也最多提升到 3400~3800k 的
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258559.html2011/12/19 10:59:42
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258558.html2011/12/19 10:59:40
为34.9%。美国cree公司可以提供功率大于15 mW 的蓝色发光芯片(455～475 nm)和最大功率为21 mW的紫光发光芯片(395～410 nm),8 mW 绿光(50
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258557.html2011/12/19 10:59:35
大的差距,同日美等国相比在总体水平上至少要落后10-15年,但在高密度小型led智能矩阵显示器的研究方面成功研制了5020型等高密度led平板显示器,像素密度达到5-6个/mm2。
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258553.html2011/12/19 10:59:24
国在光电显示器件的研制与生产方面与国外相比有较大的差距,同日美等国相比在总体水平上至少要落后10-15年,但在高密度小型led智能矩阵显示器的研究方面成功研制了5020型等高密度le
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258549.html2011/12/19 10:59:12
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258547.html2011/12/19 10:59:07
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258545.html2011/12/19 10:59:03
大电流也当然没法加大,这是led往单颗大功率发展的障碍。朝大芯片大电流方向发展意即要在不降低光效的前提下把芯片做大以能通过更大的电流,让单颗led的功率大幅提高（相对现在的1W）,这
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