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http://blog.alighting.cn/longyubing/archive/2011/4/1/146045.html2011/4/1 13:34:00
片(epi wafer), 晶粒(chip)制程设备及材料:基板, 单晶棒, 荧光粉, 环氧树脂, 导线架等 磊晶( mocvd / mbe / lpe / vpe )、晶粒产
http://blog.alighting.cn/zhuli562898/archive/2011/5/17/179029.html2011/5/17 15:19:00
灯。 2、高频无极灯因为凹腔内的温度非常高，它的散热不好解决，功率不敢做得太大，一般不超过165w。有声称做出200w的，但是经实物测试它的光通量并没有得到增加，没有实际意义。这
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/5/17/179093.html2011/5/17 16:27:00
有良好的防静电措施。专用防静电地、防静电地板、防静电烙铁、防静电台垫、防静电环、防静电衣、湿度控制、设备接地（尤其切脚机）等都是基本要求，并且要用静电仪定期检测。 2、驱动电
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/5/19/179621.html2011/5/19 0:16:00
联系人：黄浩鑫 联系电话：15011701842 保瓦博士dp系列油田抽油机专用节能控制器 国内各大油田的测试报告: 大庆油田-采油九厂-平均节电率18.61% 胜利油田
http://blog.alighting.cn/zhanqixuan/archive/2011/6/2/187080.html2011/6/2 15:30:00
得可怜，还远低于有灯丝的部分高光效荧光灯。 2、高频无极灯因为凹腔内的温度非常高，它的散热不好解决，功率不敢做得太大，一般不超过165w。有声称做出200w的，但是经实物测试它
http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/17/221708.html2011/6/17 14:59:00
r), 数字型(digital),点矩阵型(dot matrix), 表面粘着型(smd)等磊晶片(epi wafer), 晶粒(chip)制程设备及材料基板, 单晶棒, 萤光粉, 环
http://blog.alighting.cn/wanshengzhanlan/archive/2011/7/5/228639.html2011/7/5 16:08:00
有波长低于450nm短波长光线,传统环氧树脂封装材料极易被短波长光线破坏,高功率白光led的大光量更加速封装材料的劣化,根据业者测试结果显示连续点灯不到一万小时,高功率白光le
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229911.html2011/7/17 23:09:00
度和气氛中易分解和腐蚀。目前,zno半导体材料尚不能用来制造光电子器件或高温电子器件,主要是材料质量达不到器件水平和p型掺杂问题没有得到真正解决,适合zno基半导体材料生长的设备尚
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229923.html2011/7/17 23:18:00
、spi (串行外设接口)和集成电路之间(i2c)总线。多通道光学耦合器在工业控制、测试测量、plc(程控逻辑控制器)医疗系统、fieldbus接口和数据采集中；在poe (通过以太
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