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高亮度led封装工艺技术及方案

d芯片上p-n两个电极的位置相距拉近,令芯片发光效率及散热能力提高。而最近已有大功率led的生产,就是利用新改良的激光溶解(laser lift-off)及金属黏合技术(meta

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261467.html2012/1/8 21:39:14

全球八大led芯片制造商

1,cree  著名led芯片制造商,美国cree公司,产品以碳化硅(sic),氮化镓(gan),硅(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261443.html2012/1/8 21:33:08

led生产工艺及封装技术

坑(lockhill) 芯片尺寸及电极大小是否符合工艺要求 电极图案是否完整 2.扩片 由于led芯片在划片后依然排列紧密间距很小(约0.1mm),不利于后工序的操作。我们采用扩片机对黏结芯

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261400.html2012/1/8 20:28:07

led生产中的六种技术

面:发光面积增大,电极挡光小,便于制备微结构,并且减少刻蚀、磨片、划片。更重要的是蓝宝石衬底可以重复运

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261338.html2012/1/8 20:19:40

led光源的“前世”“今生”与“后led光源时代”

出,成为人类通信技术的主流。led和半导体激光器,是光纤通信的核心技术之一。光纤通信中的led和半导体激光器的核心发光部分,就是由p型和n型半导体构成的pn结管芯,可发出可见光,紫外

  http://blog.alighting.cn/lrjflash/archive/2012/1/2/260774.html2012/1/2 16:39:57

广州照明设计-福建某园林广场灯光亮化设计方案

架)把景观灯柱及两个站立的人去掉露出水幕激光; ② 钟乳石再暗点,后面的树增加点其他颜色的灯光,长廊灯光还用上次那种三个颜色的,长廊的地有点太亮,有壁灯的地方做些光晕,其他地方稍暗

  http://blog.alighting.cn/yakeys/archive/2011/12/21/258905.html2011/12/21 10:01:43

全球八大led芯片制造商

1,cree  著名led芯片制造商,美国cree公司,产品以碳化硅(sic),氮化镓(gan),硅(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258630.html2011/12/19 11:09:53

高亮度led封装工艺技术及方案

d芯片上p-n两个电极的位置相距拉近,令芯片发光效率及散热能力提高。而最近已有大功率led的生产,就是利用新改良的激光溶解(laser lift-off)及金属黏合技术(meta

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258601.html2011/12/19 11:02:23

未来新星 浅谈oled显示技术

n 、 philips 等,韩国已有三星、 lg 、现代等 10 余家企业宣布涉足 oled 产业,台湾地区也有来宝、东源激光、友达、胜园等 14 家厂商投入到 oled 产业。 

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258596.html2011/12/19 11:02:09

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

年来被广泛用于制造短波长的光电器件,如发光二极管(leds)和激光二极管(lds)。目前有关gan材料生长报道和文献较多,有关芯片制造方面有少量报道还仅局限在gan的刻蚀和欧姆接

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258586.html2011/12/19 11:01:38

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