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led护栏灯二极封装结构及技术

led护栏灯二极封装结构及技术

  https://www.alighting.cn/news/200728/V12333.htm2007/2/8 11:15:51

日本开发出fed技术照明器件

日本东北大学研究生院环境科学研究科与同和控股公司(dowa holdings)于2013年1月9日宣布,双方共同开发出了使用碳纳米(cnt)的冷阴极场致电子发射型面发光器件。将

  https://www.alighting.cn/news/2013116/n667748163.htm2013/1/16 9:19:37

GaN基led电流扩展对其器件特性的影响

GaN基led的表面电流扩展对于器件的特性起着很重要的作用。制作环状n电极的器件在正向电压、总辐射功率、器件老化等特性方面较普通的电极都有很大的提高。通过一系列的实验对环状n电

  https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:18:40

普林斯顿大学祭出首个全3d打印led灯

成到具有有源器件性能的组件

  https://www.alighting.cn/pingce/20141113/121575.htm2014/11/13 11:59:26

led显示器件发展简史

发的中国工程师有一定参考价值。 全球第一款商用化发光二极(led)是在1965年用锗材料作成的,其单价为45美元。随后不久monsanto和惠普公司也推出了用gaasp材料制

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229925.html2011/7/17 23:19:00

si衬底GaN基蓝光led老化性能

报道了芯片尺寸为500μm×500μm硅衬底GaN基蓝光led在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能,其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段.

  https://www.alighting.cn/2014/10/13 13:38:36

抢占绿色光源制高点 江苏武进全力打造“魅力光城”

在大力倡导节能、环保等一连串绿色概念的今天,这种简称led(半导体照明)的新型发光技术正成为全球争相竞逐的一个新兴产业“制高点”。

  https://www.alighting.cn/news/20100831/103049.htm2010/8/31 9:44:56

采用光子晶体结构GaN基led 光通量提高42%

阿尔卑斯电气开发出了采用光子晶体结构、将光通量提高了约42%的GaN类led,并在“alps show 2008”(2008年9月25~26日)上展出。发光波长为510.7n

  https://www.alighting.cn/news/20081006/119664.htm2008/10/6 0:00:00

提高应变弛豫与非极化/半极化GaN技术

应用多项高端纳米技术改善mocvd生长在蓝宝石衬底上GaN的晶体特性和光学性能,并因此从根本上大幅提高相关高亮led的发光效率。

  https://www.alighting.cn/2012/12/5 18:18:30

科锐推出新型1200v z-rec? 碳化硅肖特基二极系列

碳化硅 (sic) 功率器件市场领先者科锐公司 (nasdaq: cree) 日前宣布推出一新型产品系列。该系列产品由七款1200v z-rec? 碳化硅 (sic) 肖特基二极

  https://www.alighting.cn/news/2011627/n668732779.htm2011/6/27 17:32:32

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