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高亮度led主要分为红外光的gaas体系和algaas体系，红、橙、黄、绿色的algainp体系，绿色和蓝色的inGaN体系，以及紫外光的GaN和alGaN体系。目前inGaN体
https://www.alighting.cn/news/20130412/90243.htm2013/4/12 9:44:22
采用抗刻蚀性光刻胶作为掩膜,并利用光刻技术制作周期性结构,进行icp干法刻蚀c面(0001)蓝宝石制作图形蓝宝石衬底(pss);然后,在pss上进行mocvd制作GaN基发光二极
https://www.alighting.cn/resource/20130411/125742.htm2013/4/11 11:59:01
一) 1975年: 美国麻省理工学院材料科学硕士 1977年: 美国麻省理工学院材料科学博士 1977年: 美国卡内基梅隆大学冶金工程和材料科学系副教授 1979年: 美国卡内
http://blog.alighting.cn/sdj/archive/2013/4/10/314124.html2013/4/10 14:52:12
大,衰减较快。该结果对GaN led的改进有一定参考价
https://www.alighting.cn/2013/4/10 11:40:42
用。 导热填料主要分为两种：一种是导热绝缘填料，如金属氧化物填料、金属氮化物填料等。另一种是导热非绝缘填料，如炭基填料和各种金属填料等。前者主要用于电子元器件封装材料等对电绝缘性能有较
http://blog.alighting.cn/175310/archive/2013/4/10/314037.html2013/4/10 11:24:37
据了解，发布会将由晶科电子的资深工程师和研发主管现场分享“易星二代及易系列通用照明产品及应用解决方案”、“金属基cob/芯片级陶瓷基cob新产品及整体解决方案”，届时晶科电子的合
https://www.alighting.cn/news/2013410/n931250502.htm2013/4/10 10:47:04
局。 1、联合创立的晶能光电是全球硅衬底led技术的主导者，其“硅衬底氮化镓基led材料及大功率器件”获2012年国家工信部信息产业重大技术发明，多次承担国家级重大科研和产业化项
http://blog.alighting.cn/sdj/archive/2013/4/9/313888.html2013/4/9 17:30:26
划目标：led 芯片国产化率80%以上，硅基led 芯片取得重要突破。核心器件的发光效率与应用产品的质量达到国际同期先进水平；大型mocvd装备、关键原材料实现国产化，检测设备国产
http://blog.alighting.cn/szlisten/archive/2013/4/9/313843.html2013/4/9 13:00:35
叉的位错线是呈现黑色的，可以推断晶格不匹配增加，iqe下降。虽然gaas和inp中晶格匹配和iqe显示很强的关系，但是GaN中这种关系却不明显，这主要是GaN中位错的电学活性很
http://blog.alighting.cn/174963/archive/2013/4/9/313815.html2013/4/9 9:36:11
2012年10月申请上柜的弘凯光电(5244)，自行撤回上柜申请案。公司公告指出，经综合考虑目前整体营运规划，决定向财团法人证券柜台买卖中心撤回股票上柜申请案，主办辅导券商为凯
https://www.alighting.cn/news/20130408/112741.htm2013/4/8 12:04:03
