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、采用碳化硅基板生长GaN薄膜，优点是在相同操作电流条件下，光衰少、寿命长，不足处是硅基板会吸光。二、利用芯片黏合及剥离技术制造。优点是光衰少、寿命长，不足处是须对led表面进行处理
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271156.html2012/4/10 20:58:07
响，此工艺荧光粉的涂布量均匀性的控制有难度，导致了白光颜色的不均匀。 2.片光电参数配合：半导体工艺的特点，决定同种材料同一晶圆芯片之间都可能存在光学参数(如波长、光强)和电学(
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271153.html2012/4/10 20:57:59
、采用更大尺寸晶圆制作工艺，也在不断的降低成本，近年来每年在以20%速度降低中，如果能把目前的封装成本从占总成本的50%降低到20%~30%，led照明的应用会上到一个新数量级市场规
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271150.html2012/4/10 20:57:48
侧，正面射出的光部分将被接触电极所吸收和键合引线遮挡。造成光吸收更主要的因素是p型GaN层电导率较低，为满足电流扩展的要求，覆盖于外延层表面大部分的半透明niau欧姆接触层的厚度应大
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271148.html2012/4/10 20:57:39
是将精密机械氧造概念引入半导体氧程中,以自行设计的设备,结合反射镜及低温热压式晶圆黏贴技术,成功氧作出高反射率且散热良 好的新型超高亮度led。在 制程成本及复杂方面,还可以比美、
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271139.html2012/4/10 20:56:42
车后部的高位刹车灯，90年代大功率led的工作电流达到50-70ma。 1995年，日本日亚化学工业公司成功开发出蓝光led后，世界上结束了没有原色蓝光的历史，在全球掀起了ga
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271135.html2012/4/10 20:56:26
色。 最近，欧司朗光电半导体开发出一种制造led的新方法，一种称为“薄膜”的工艺。在“薄膜”工艺中，led晶圆采用与传统alingap和inGaN晶圆同样的工艺制造，一个不同点就
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271130.html2012/4/10 20:55:38
近日，ims reseach 发布了最新《GaNg led季度供需报告》，报告显示，2011年 GaN led封装总产值为80亿美元，同比下降了6%。2016年，GaN led市
https://www.alighting.cn/news/20120329/99682.htm2012/3/29 17:26:59
市场研究机构ims预测2012年GaN基mocvd的出货量将从2011年的654套降至342套，下降幅度达48%。当前正处谷底，预计今年二季度中后期会有缓慢的回升，该预测是基于
https://www.alighting.cn/news/20120327/89383.htm2012/3/27 15:41:55
目前bridgelux希望的，就是透过用硅基板取代蓝宝石基板的方式降低生产成本、提高技术，让成本下滑的速度快过asp下滑的速度。bridgelux表示，运用硅基板的量产时程，最快可
https://www.alighting.cn/news/20120320/113809.htm2012/3/20 9:37:53
