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w, 其中2.5×2.5mm2 芯片光通量可达200LM, 0.3w 和1w 产品正推向市常德国baoberlin 公司近期开发一种高功率led,其芯片面积为2.8×3.2mm
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度,却失去了led应有的寿命。因此在半导体照明灯具设计上慎选led,应使用大功率led作为照明设备光源。6)提高光通量、降低价格目前单个1w的led器件,光通量约为25 LM,质
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3)?;式中-etfe膜的透射率；?;u-利用系数；?;-每瓦led所发光通量,LM；?;l-亮度,cd/ m2；?;p-每平米etfe气枕表面所需led功率,w。(3)etfe
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布电容限定值,在变压器的线圈结构中实现,而趋肤效应影响则作为选择导线规格的条件之一。变压器的漏感主要为励磁电感,、原边漏感、副边漏感：,如图3.14 所示。其中励磁电感LM 很大,并
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流纹波。 bp2808的cs端采集电流采样电阻rs1～rs2上的峰值电流,由内部逻辑在单周期内控制out脚信号的脉冲占空比进行恒流控制,输出恒流与d5、LM1的续流电路合并向le
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辑在单周期内控制out脚信号的脉冲占空比进行恒流控制,输出恒流与d5、LM1的续流电路合并向led光源恒流供电。led光源阵列组合改变时,电阻rs1～rs2的阻值也要随之改变,使整
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境条件和功耗估算工作结温。 开关电源中的散热 电源管理电路中散热考虑的典型示例,可以参考图2所示美国国家半导体提供的LM3554电路。该器件是一个感应升压转换器,面向蜂窝电话应
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器t1副边地。 3.2 比较器电路 采用比较器LM258,电路如图4所示。 输出端的采样电阻两端的电压信号vr+和vr-送到比较器LM258,通过与预设电压进行比较,产生电
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同的结果。 了解这一点很重要。因为当不同的两家led 制造厂商描述他们的功率 led产品可在 350ma下提供最小 100LM光输出，在某些包括，但不限于350ma输入电流严格定
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如室内或户外）所订定，其发光效能介于20～35 LM∕w之间；而b类要求（future performance targets）所订定的发光效能则为≧70 LM/w。 2、使用寿
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