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金, 铜等)没有损伤，对硅及硅化合物（如Sio2 或 Si3n4）仅有极轻微损伤。蚀刻的速度快，能同时对带有不同厚度光刻胶的基板进行蚀刻，还可以剥离超厚光刻胶层（大于1mm），可进

http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262807.html2012/1/29 0:46:19

金, 铜等)没有损伤，对硅及硅化合物（如Sio2 或 Si3n4）仅有极轻微损伤。蚀刻的速度快，能同时对带有不同厚度光刻胶的基板进行蚀刻，还可以剥离超厚光刻胶层（大于1mm），可进

http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/263243.html2012/1/29 23:41:49

金, 铜等)没有损伤，对硅及硅化合物（如Sio2 或 Si3n4）仅有极轻微损伤。蚀刻的速度快，能同时对带有不同厚度光刻胶的基板进行蚀刻，还可以剥离超厚光刻胶层（大于1mm），可进

http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/267907.html2012/3/15 21:04:49

金, 铜等)没有损伤，对硅及硅化合物（如Sio2 或 Si3n4）仅有极轻微损伤。蚀刻的速度快，能同时对带有不同厚度光刻胶的基板进行蚀刻，还可以剥离超厚光刻胶层（大于1mm），可进

http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268321.html2012/3/15 21:55:29

金, 铜等)没有损伤，对硅及硅化合物（如Sio2 或 Si3n4）仅有极轻微损伤。蚀刻的速度快，能同时对带有不同厚度光刻胶的基板进行蚀刻，还可以剥离超厚光刻胶层（大于1mm），可进

http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271191.html2012/4/10 21:03:06

金, 铜等)没有损伤，对硅及硅化合物（如Sio2 或 Si3n4）仅有极轻微损伤。蚀刻的速度快，能同时对带有不同厚度光刻胶的基板进行蚀刻，还可以剥离超厚光刻胶层（大于1mm），可进

http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271605.html2012/4/10 23:10:53

所垄断,导致芯片价格一直居高不下。为突破国际专利壁垒,国内已经启动了Si衬底材料的研究并已经取得了一些进展。用Si做衬底材料价格会低的多,不仅因为Si衬底本身的价格比蓝宝石和Sic

http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271806.html2012/4/10 23:37:11

所垄断,导致芯片价格一直居高不下。为突破国际专利壁垒,国内已经启动了Si衬底材料的研究并已经取得了一些进展。用Si做衬底材料价格会低的多,不仅因为Si衬底本身的价格比蓝宝石和Sic

http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274714.html2012/5/16 21:27:45

金, 铜等)没有损伤，对硅及硅化合物（如Sio2 或 Si3n4）仅有极轻微损伤。蚀刻的速度快，能同时对带有不同厚度光刻胶的基板进行蚀刻，还可以剥离超厚光刻胶层（大于1mm），可进

http://blog.alighting.cn/cngeiao/archive/2012/5/20/275227.html2012/5/20 20:36:11

金, 铜等)没有损伤，对硅及硅化合物（如Sio2 或 Si3n4）仅有极轻微损伤。蚀刻的速度快，能同时对带有不同厚度光刻胶的基板进行蚀刻，还可以剥离超厚光刻胶层（大于1mm），可进

http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279584.html2012/6/20 23:08:40