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led芯片寿命试验

件的特点,经过对比试验和统计分析,最终规定了0.3×~0.3mm2以下芯片的寿命试验条件:● 样品随机抽取,数量为8~10粒芯片,制成ф5单灯;● 工作电流为30ma;● 环境条件

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232818.html2011/8/19 0:29:00

采用led光源的道路灯具应关注的焦点

失了40%~30%后再投射到路面上的。此类灯具的总体效率一般都在70%左右(只有国际著名品牌的此类道路灯具其效率可达到80%),并且上述的过度照明区域中过多的照度也属于浪费。综合分

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232819.html2011/8/19 0:29:00

浅谈led產生有色光的方法

加,导致整个发光平面发光强度分佈比较均匀。在计算萤幕发光强度时,需根据led视角和led的排放密度,将厂商提供的最大点发光强度值乘以30%~90%不等,作为单管平均发光强度。一

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232817.html2011/8/19 0:28:00

串行flash存储器在小型led显示系统中的应用

存器中有8个74hC595级联,4组共用了32个74hC595。74hC595内部电路框图如图1(C)所示。所有4组74hC595的控制信号rCk,sCk,en全部接在一起,74h

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oled 进入手机主显示应用

式需集成在iC中,这也对oled的寿命和可靠性有帮助;(C)为减少外部组件和节省成本,需内置内部的电源控制系统。拥有以上这些技术和特性,pmoled将更容易进入手机全彩主屏的竞技

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工业级高信赖性led路灯系统评量指针

率的hid光源(发光效率90~110 lm/w),解决目前所有灯具照度不足≧45lm/w问题,满足道路照明寿命长光衰低符合国际标准平均照度达25~40lux规格与节能30~50%需

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232810.html2011/8/19 0:17:00

高亮度led发光效益技术

理esd的问题,很可能会造成系统环境的失控,进而对电子设备造成 损害。ingan 晶粒一般被视为是"Class 1"的设备,达到30kv的静电干扰电荷其实很容易发生。在对照试验中,10

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倒计时led显示屏的设计

0~30kω电阻后可作为负秒脉冲信号输出线;  +5v,gnd:接dC电源+5v和电源地;  sd,sCk,stb:静态显示用串行数据线;同步脉冲线和显示同步输出线;  sel:此脚悬

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在手机照相机光源应用领域驱动大电流led的高性能技术

下的最低电压调节vout可使整体效率优化。在同步降压-升压拓扑结构下,于整个锂离子电池和led正向电压范围内,"手电筒”模式的效率可大于90%,比普通升压解决方案提高了20% 到3

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led在隧道照明中的应用探讨

度入口段200-300lx,过渡段50-150lx,中间段25-30lx,出口段150-200lx纵向均匀度入口段0.85,过渡段0.6,中间段0.4,出口段0.75 (一)隧

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