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世晶绿能团队于研发之初，就先承认高功率led之高热问题，扬弃smd接脚之狭小面积，也不满足于cob之底部接触，开发更大接触面积之解决方案，现有与散热有关之核心发明专利有圆弧平底凹
https://www.alighting.cn/resource/20120712/126523.htm2012/7/12 10:21:50
led 的散热现在越来越为人们所重视，这是因为led的光衰或其寿命是直接和其结温有关，散热不好结温就高，寿命就短，依照阿雷纽斯法则温度每降低10℃寿命会延长2 倍。从cree公
https://www.alighting.cn/2011/11/10 18:05:19
伴随着高功率 led技术迭有进展，led尺寸逐渐缩小，热量集中在小尺寸芯片内，且热密度更高，致使led面临日益严苛的热管理考验。为降低 led热阻，其散热必须由芯片层级(chi
https://www.alighting.cn/resource/20111101/126937.htm2011/11/1 10:53:43
白光led具有发光效率高、功耗低、寿命长、环保等很多其它传统照明光源无法比拟的优势。因此被认为是取代白炽灯跟荧光灯最具潜力的照明光源。本文根据目前半导体照明的最新研究进展,介
https://www.alighting.cn/2011/10/24 13:56:27
关,生长温度由800℃降低到740℃,in组份的从0.22增加到 0.45 ;室温ingan光致发光光谱(pl)峰全半高宽(fwh m)为15.5 nm;ingan/gan量子阱
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127009.htm2011/10/18 14:04:18
件载体。动态内存的采用打破了静态ram的使用局限,具有频率高、空间大和成本低的优点。本控制器采用vhdl语言进行程序编写,核心部分由状态机组成并采用新颖的读写方式来提高系统的总线利
https://www.alighting.cn/resource/20110927/127072.htm2011/9/27 13:45:05
、原子力显微镜、透射光谱以及光致发光光谱等表征技术,研究了zno/mgo多量子阱的结构、表面形貌和光致发光等特性.xrd以及扫描的结果表明多层膜样品具有高c轴择优取向并且与蓝宝石基
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127190.htm2011/9/6 14:26:27
近带边发射峰强度最强,其半高全宽也降低到6.7 nm,几乎看不到任何黄光
https://www.alighting.cn/resource/20110905/127200.htm2011/9/5 10:19:25
d的发光均匀的分布到被照路面上。整套灯具采用高导热系数的优质铝合金作为主体，表面采用阳极氧化工艺，确保了灯体的导热性和安全性。灯具采用交流电或直流电两种供电方式照明，可配合太阳能、市
http://blog.alighting.cn/bdthgd/archive/2010/4/7/39500.html2010/4/7 9:22:00
led显示屏由于其亮度高、工作电压低、功耗小、小型化、寿命长、耐冲击和性能稳定等本身具有的优点,从而在当今社会受到广泛重视而得到迅速发展。本设计提出了一种基于单片机的led显示
https://www.alighting.cn/resource/20110823/127262.htm2011/8/23 13:50:04
