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led芯片的技术发展状况

为34.9%。美国cree公司可以提供功率大于15 mw 的蓝色发光芯片(455~475 nm)和最大功率为21 mw的紫光发光芯片(395~410 nm),8 mw 绿光(50

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41

中国led半导体照明技术论坛在广州召开

市荔湾区芳村花溪路9号坑口电子数码基地,是国内最早提出led半导体照明应用概念的企业。从2004年开始,进行了前瞻性和系统化的技术开发工作,并承担了多项国家、省、市级半导体照明重大

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261587.html2012/1/8 21:54:40

中国led半导体照明技术论坛在广州召开

市荔湾区芳村花溪路9号坑口电子数码基地,是国内最早提出led半导体照明应用概念的企业。从2004年开始,进行了前瞻性和系统化的技术开发工作,并承担了多项国家、省、市级半导体照明重大

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261586.html2012/1/8 21:54:39

新光源期待新动力——我国led照明产业发展质量透视

元,芯片、封装和应用产值之比为1∶9∶22。 换言之,在led行业投资火热背后,是不得不面对的一个尴尬事实,国内led企业在外延片、芯片等关键的上游环节缺乏话语权。 来自中国照明协

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261551.html2012/1/8 21:49:42

led知识产权的风险控制及防范策略

市的9家led企业,2009年4月,厦门一led企业再次因上述专利被列入337调查名单。337调查案件给正在发展势头而在核心技术环节薄弱的中国led企业敲响了知识产权的警钟。2、

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261546.html2012/1/8 21:49:11

led芯片的技术发展状况

为34.9%。美国cree公司可以提供功率大于15 mw 的蓝色发光芯片(455~475 nm)和最大功率为21 mw的紫光发光芯片(395~410 nm),8 mw 绿光(50

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261521.html2012/1/8 21:47:42

2048像素led平板显示器件的封装

与所选用的陶瓷盖材料之间的理化性能的匹配。在普通光学玻璃系列牌号中,我们选用各种性能都比较优良的k9玻璃与远紫外石英光学玻璃(jgsl)同91%a12o3的性能进行比较(表3)。从表

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261518.html2012/1/8 21:47:33

2048像素led平板显示器件的封装

配。在普通光学玻璃系列牌号中,我们选用各种性能都比较优良的k9玻璃与远紫外石英光学玻璃(jgsl)同91%a12o3的性能进行比较(表3)。从表3可以看出:①从光谱应用范围来说,两者都

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261514.html2012/1/8 21:47:22

led芯片的技术发展状况

为34.9%。美国cree公司可以提供功率大于15 mw 的蓝色发光芯片(455~475 nm)和最大功率为21 mw的紫光发光芯片(395~410 nm),8 mw 绿光(50

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261510.html2012/1/8 21:47:10

采用led光源的道路灯具应关注的焦点

照路灯具高度及路面宽度设计各个led的安装位置和发射光的方向就能实现良好的二次配光功能。在此类灯具中的反射器,只作为辅助的三次配光手段,来保证道路照度更好的均匀度。  笔者在今年9

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