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外延片技术与设备是 外延片制造技术的关键所在,金属有机物化学气相淀积(metal-organic chemical vapor deposition,简称mocvd)技术生
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度,却失去了led应有的寿命。因此在半导体照明灯具设计上慎选led,应使用大功率led作为照明设备光源。6)提高光通量、降低价格目前单个1w的led器件,光通量约为25 lm,质
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流焊机加热硬化。它与所谓的焊膏是不相同的,一经加热硬化后,再加热也不会溶化,也就是说,贴片胶的热硬化过程是不可逆的。 smt贴片胶的使用效果会因热固化条件、被连接物、所使用的设备、操
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229945.html2011/7/17 23:28:00
随着高科技产品的民用化普及,从前仅在飞行器的驾驶座舱内使用的场致发光技术现已广泛运用于民用手持设备上,在手机、传呼机、无绳电话、个人数字助 理、遥控器等产品上,由于el背光方式具
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统的可靠性。另一方面,省下彩色滤光片,在制程上除节省原料成本(约占面板15%左右)外,实质上还省略滤光片涂布、制作之工序、减少工时及提升良率；更可以免去配套建设cf厂房设备的大笔投
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229940.html2011/7/17 23:26:00
范措施。静电在led显示屏生产过程中的危害如果在生产任何环节上忽视防静电,它将会引起电子设备失灵甚至使其损坏。当半导体器件单独放置或装入电路时,即使没有加电,由于静电也可能造成这些器
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样,人们很快发现它在便携式医疗设备、工业控制、车载设备、以及军事应用领域具有显著的优点。对于采用el技术生产的显示器,其屏幕对角线尺寸小至数英寸,大至18英寸,涵盖范围包括单色显示器
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常压或低压(≈10kpa)下于通h2的冷壁石英反应器中进行,衬底温度为600-800℃,用射频加热石墨支架,h2气通过温度可控的液体源鼓泡携带金属有机物到生长区。一般的mocvd设
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格昂贵。因而氮化镓厚膜作为半导体照明的衬底之用受到限制。氮化镓衬底生产技术和设备缺乏氮化镓衬底是阻碍氮化物研究的主要困难之一,也是造成氮化镓发光器件进展目前再次停顿的根本原因！虽然有
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