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p型gan欧姆接触的研究进展

宽带隙的gan作为半导体领域研究的热点之一,近年来发展得很快。p型gan的欧姆接触问题一直阻碍高温大功率gan器件的研制。本文讨论了金属化方案的选择、表面预处理和合金化处理等几

  https://www.alighting.cn/2011/10/20 13:36:53

cu掺杂zno薄膜的光学性质

采用射频反应磁控溅射方法,在si(100)和石英片上使用双靶溅射的方法制备了cu掺杂zno薄膜。利用x射线衍射、透射光谱和光致发光光谱分析了薄膜的晶体结构及光学性质,并与密度泛

  https://www.alighting.cn/resource/20110916/127133.htm2011/9/16 14:44:13

led照明技术的研究和设计实例

本论文的研究和设计工作重点是led照明驱动电源和led照明灯具的配光,主要创新工作如下: 第一,在归纳了一般led照明对驱动电源要求的前提下,以led的电学特性为 第三,根据城

  https://www.alighting.cn/resource/20110907/127185.htm2011/9/7 10:10:59

led技术发展概述

介绍了led的技术发展过程,从材料的发展到波长的扩展;从gan蓝光led、荧光粉到白光led的实现;元件结构的改进对发光效率的提升;工艺的发展对单色功率的提升。同时对封装材料

  https://www.alighting.cn/resource/20110830/127231.htm2011/8/30 13:50:08

led芯片之湿法表面粗化技术

led芯片的湿法表面粗化技术主要阐述经过粗化的ganled芯片,亮度增加可达24%以上。采用湿法腐蚀方法对gan材料表面进行处理,对其表面形貌进行分析同时将其制作成芯片,对其光

  https://www.alighting.cn/resource/20110712/127432.htm2011/7/12 17:59:48

led外延片介绍以及辨别外延片质量方法

外延生长的本原理是:在一块加热至适当温度的衬底片(主要有蓝宝石和sic,si)上,气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生

  https://www.alighting.cn/resource/20110428/127684.htm2011/4/28 11:47:30

良业董事长梁毅安哥拉获习近平接见

日前,中国国家副主席习近平参观中企在安哥拉承建的罗安达省兰巴阿希市安居住宅项目,慰问工程建设者,在出席驻安哥拉中资企业代表座谈会时亲切接见该工程总承包商良业照明董事长梁毅先生。

  https://www.alighting.cn/news/20101129/n668129311.htm2010/11/29 9:07:37

晶科电子e时代易系列新品发布会召开

9月6日下午,作为大功率led芯片生产商——晶科电子(广州)有限公司 “e时代 星精彩”易系列产品发布会在深圳会展中心成功举办,强势推出最新研发的陶瓷无金线光源产品-易系列,阿

  https://www.alighting.cn/news/201198/n065434397.htm2011/9/8 16:11:59

高亮度led的发展及应用

源制造商正在加强和led制造商的联合。超高亮度led主要指algainp的红、橙、黄色led,gan蓝、绿、紫和紫外线le

  https://www.alighting.cn/resource/20110104/128108.htm2011/1/4 10:59:03

硅衬底led照明暂未发现物理瓶颈

按照led上游材料制备所用的衬底划分,目前已实现产业化的有三种技术路线,即蓝宝石衬底半导体照明、碳化硅衬底半导体照明和硅衬底半导体照明。而硅衬底上ganled专利技术为我国拥

  https://www.alighting.cn/news/20111114/n580235699.htm2011/11/14 9:49:03

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