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inGaN_GaN多量子阱蓝光发光二极管老化过程中的光谱特性

分析表明在老化过程中ingan/gan 多量子阱结构蓝光发光二极管量子阱内的缺陷及其束缚的载流子数量增加,形成了增强的极化电场屏蔽效应,减弱的等效极化电场导致了量子阱的能带倾斜变小

  https://www.alighting.cn/2014/11/24 11:48:19

具有三角形inGaN/GaN 多量子阱的高内量子效率的蓝光led

研究结果表明,对于传统结构的led 而言,2 个量子阱的结构相对于5 个和7 个量子阱具有更好的光学性能。同时还研究了具有三角形量子阱结构的led,研究结果显示,三角形多量子阱结构

  https://www.alighting.cn/2014/11/24 10:27:18

led照明散热技术get√

本文对led发热问题就行了分析,强调散热技术对led发展的重要性。

  https://www.alighting.cn/resource/20141114/124092.htm2014/11/14 10:58:12

“八问八答”全面解密led芯片知识

一般来说,led外延生产完成之后她的主要电性能已定型,芯片制造不对其产甞核本性改变,但在镀膜、合金化过程中不恰当的条件会造成一些电参数的不良。

  https://www.alighting.cn/2014/9/28 9:50:24

紫色led和蓝色led的对比分析,区别何在?

led可以分为好多种,分为不同的颜色。那么,不同的led之间有什么差别呢?我们平时见到的各种各样的led又是根据什么来区分?它们对比起来又有什么样的优势?今天让小编为你们揭晓,紫色

  https://www.alighting.cn/resource/20140425/124633.htm2014/4/25 11:02:49

led芯片制作

《led芯片制作》分享给大家,欢迎下载附件查看详细内容。

  https://www.alighting.cn/resource/20130916/125323.htm2013/9/16 13:28:28

新世纪光电blue inGaN/GaN ledchip l0(9×11)规格说明书

本文档为台湾新世纪green inGaN/GaN led chipl0(9×11)led芯片的规格书。

  https://www.alighting.cn/resource/20110729/127366.htm2011/7/29 15:08:48

新世纪光电blue inGaN/GaN ledchip e0(8×10)规格说明书

本文档为台湾新世纪green inGaN/GaN led chip e0(8×10)led芯片的规格书。

  https://www.alighting.cn/resource/20110729/127367.htm2011/7/29 14:55:59

新世纪光电blue inGaN/GaN ledchip e0(8·10)规格说明书

本文档为台湾新世纪blue inGaN/GaN ledchip e0(8·10)led芯片的规格书。

  https://www.alighting.cn/resource/20110729/127368.htm2011/7/29 14:40:46

新世纪光电blue inGaN/GaN led chip p2 (45)规格说明书

本文档为台湾新世纪blue inGaN/GaN led chip p2 (45)led芯片的规格书。

  https://www.alighting.cn/resource/20110729/127369.htm2011/7/29 14:21:46

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