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叉的位错线是呈现黑色的，可以推断晶格不匹配增加，iqe下降。虽然gaas和inp中晶格匹配和iqe显示很强的关系，但是GaN中这种关系却不明显，这主要是GaN中位错的电学活性很
http://blog.alighting.cn/174963/archive/2013/4/9/313815.html2013/4/9 9:36:11
2012年10月申请上柜的弘凯光电(5244)，自行撤回上柜申请案。公司公告指出，经综合考虑目前整体营运规划，决定向财团法人证券柜台买卖中心撤回股票上柜申请案，主办辅导券商为凯
https://www.alighting.cn/news/20130408/112741.htm2013/4/8 12:04:03
将硅(si)衬底上外延生长的氮化镓(GaN)基led薄膜,通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板,获得了垂直结构蓝光led器件,并对
https://www.alighting.cn/2013/4/7 17:06:00
总体而言，在蓝光led芯片的未来发展上，倒装芯片、高压芯片、硅基芯片等都是未来的主要发展趋势。
https://www.alighting.cn/news/201343/n302950340.htm2013/4/3 10:58:03
利用金属有机化学气相沉积(mocvd)法在si衬底上生长了一系列具有不同p层厚度d的ingan/gan蓝光led薄膜并制备成垂直结构发光二极管(vleds),研究了p层厚度即p面金
https://www.alighting.cn/resource/20130403/125768.htm2013/4/3 10:40:48
一份出自北京大学，关于《激光剥离垂直结构和基于介覌光子学GaN基led》的技术资料，现在分享给大家，欢迎下载附件。
https://www.alighting.cn/2013/4/2 16:21:00
4月1日，市城管执法局市政设施管理处维修人员对东风路堤岭桥上的组合灯进行拆除，全部进行改造。此次路灯改造主要对灯具托盘全部更换，焊接新托盘更换新球罩，对缺失的灯臂弯管重新制作焊接加
https://www.alighting.cn/news/201342/n792250292.htm2013/4/2 13:56:10
现缺陷、裂纹、晶片弯曲等。衬底的质量直接影响着外延层的晶体质量，从而影响光效和寿命。如果采用GaN同质衬底进行外延生长，利用非极性技术，可最大限度地减少活性层的缺陷，使得led芯
http://blog.alighting.cn/jadsion/archive/2013/3/30/312950.html2013/3/30 9:57:21
合而成是常用的方法。当前用氮化镓基的led获得白光主要有两种方法：一种是蓝色led与yag黄色荧光粉的组合（见图1）；另一种是红/绿/蓝（rgb）三色led的组合（见图2）。 图1蓝
http://blog.alighting.cn/1077/archive/2013/3/29/312897.html2013/3/29 17:51:57
对大功率GaN基白光led在85℃下进行了高温加速老化实验。经6 500 h的老化,样品光通量退化幅度为28%～33%。样品的i-v特性变化表明其串联电阻和反向漏电流不断增大,原
https://www.alighting.cn/resource/20130329/125786.htm2013/3/29 11:28:17
