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题，但是与集成电路中互连线金属电迁移有所不同，主要是纵向迁移，即p型欧姆接触金属沿缺陷管道电迁移到达结区造成短路[7－11]，导致器件失效。由于没有匹配的衬底材料，外延生长的GaN薄
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230348.html2011/7/20 0:20:00
一般而言，led发光时所产生的热能若无法导出，将会使led结面温度过高，进而影响产品生命周期、发光效率、稳定性，而led结面温度、发光效率及寿命之间的关系，以下将利用关系图作进一步
https://www.alighting.cn/2015/1/15 15:12:03
塑胶尤其是环氧树脂由于比较好的经济性，至目前为止依然占据整个电子市场的统治地位，但是许多特殊领域比如高温、线膨胀系数不匹配、气密性、稳定性、机械性能等方面显然不适合，即使在环氧树脂
https://www.alighting.cn/resource/2013/9/18/17855_45.htm2013/9/18 17:08:55
led发光时所产生的热能若无法导出，将会使led结面温度过高，进而影 响产品生命周期、发光效率、稳定性，而led结面温度、发光效率及寿命之间的关系，以下 将利用关系图作进一步说明。
https://www.alighting.cn/2012/2/10 11:43:40
配的衬底材料，外延生长的GaN薄膜中往往包含有大量的缺陷，其大部分的是线性位错，器件工作时，接触金属的在电应力和热应力的作为下就会沿这些位错线迁移到达结区，从而形成低阻欧姆通道，造
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134120.html2011/2/20 22:55:00
日本福田结晶技术研究所成功试制出了口径为50mm（2英寸）的scalmgo4（scam）晶体。设想用于蓝色led元件及蓝紫色半导体激光器等GaN类发光元件的基板。
https://www.alighting.cn/news/2014812/n449064850.htm2014/8/12 11:49:28
德国mocvd(led外延生长设备)大厂aixtron ag在2月22日发布新闻稿指出，新一代mocvd platform aix g5 ht系统已达成生产力目标：在600毫
https://www.alighting.cn/news/20100301/119941.htm2010/3/1 0:00:00
半导体led照明作为一种新型高效固体光源，具有节能、环保和寿命长等显著优点，对节能减排具有显著意义，符合“绿色低碳”的发展趋势。半导体照明技术发展迅速、应用领域广泛、产业带动性强、
https://www.alighting.cn/news/20160429/139861.htm2016/4/29 9:36:38
led技术：阿拉丁照明网资料频道提供全面的led技术资料免费下载。本文推荐的led技术资料是《GaN基发光二极管合成照明光源的开发研究》。 摘要：GaN基发光二极管合成照
https://www.alighting.cn/resource/2009116/V993.htm2009/11/6 14:25:58
2011年4月1日——上海:ims research最新一季的GaN led供求报告显示2011年对于led供应链来说又是光明的一年。
https://www.alighting.cn/news/20110411/90603.htm2011/4/11 9:47:57
