led芯片的制造工艺流程

、技术集成度高的尖端光电子专用设备，主要用于GaN（氮化镓）系半导体材料的外延生长和蓝色、绿色或紫外发光二极管芯片的制造，也是光电子行业最有发展前途的专用设备之一。　　led芯片的制

  http://blog.alighting.cn/sg-lsb/archive/2008/10/30/9232.html2008/10/30 20:16:00

海目星携手福州大学研制出国内首款晶圆级micro led芯片非接触电致发光检测工程样机

  https://www.alighting.cn/news/20250513/177272.htm2025/5/13 15:36:51

牺牲ni退火对硅衬底GaN基发光二极管p型接触影响的研究

本文通过在硅衬底发光二极管(led)薄膜p-gan表面蒸发不同厚度的ni覆盖层,将其在n2:o2=4:1的气氛中、400℃—750℃的温度范围内进行退火,在去掉薄膜表面ni覆盖层之

  https://www.alighting.cn/2013/8/28 14:38:01

关于联盟组团赴欧参加icns学术会议暨欧洲GaN学术拓展精进之旅的通知

为响应国家推进新材料产业发展，实施制造产业强国战略的号召，国家半导体照明工程研发及产业联盟(csa)、第三代半导体产业技术创新战略联盟(casa)将联合北京大学于2017年7月20

  https://www.alighting.cn/news/20170413/150127.htm2017/4/13 14:51:26

led芯片制造工艺及相关湿法设备

led芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序(wafer fabrication)、晶圆针测工序(wafer probe)、构装工序(packaging)、测试工序(initia

  https://www.alighting.cn/resource/20161102/145726.htm2016/11/2 14:00:34

led外延片：五种衬底材料的综合比较

衬底材料是半导体照明产业技术发展的基石。衬底材料的技术对于led的发展至关重要；本文，简单介绍几种常用的衬底材料，以飨读者；

  https://www.alighting.cn/resource/20101119/128220.htm2010/11/19 11:23:36

以dlc接口及钻铜基材制造大功率的垂直led

电，led正负两个电极乃设在同面。当电流通过GaN晶格时，电流必须由垂直顺流改成水平横流且集中在内弯处，导致无法有效使用p-n接口的电子层和空穴层，因而减少了发光效率。更有甚者，电流集

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126774.html2011/1/9 21:13:00

inn材料的电学特性

膜,这就很难避免晶格匹配这个大问题。一般都是在蓝宝石衬底上先生长氮化物的缓冲层,然后再异质外延inn薄膜,研究显示,GaN缓冲层上生长的inn薄膜比较理想。mbe技术生长可以精确控

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229952.html2011/7/17 23:30:00

(1102)γ面蓝宝石生长的(1120)α面氮化镓研究

采用低温ain作为缓冲层,在(1102)γ面蓝宝石和(0001)с面蓝宝石上分别生长了(1120)非极性α面和(0001)极性с面GaN,用原子力显微镜和高分辨x射线衍射、光致发

  https://www.alighting.cn/resource/20110831/127220.htm2011/8/31 16:26:57

cree与意法半导体签供货协议，向碳化硅转型迈多一步

按照该协议的规定，在当前碳化硅功率器件市场需求显著增长期间，cree将向意法半导体供应价值2.5亿美元的cree先进150mm碳化硅裸晶圆和外延晶圆。

  https://www.alighting.cn/news/20190122/160087.htm2019/1/22 10:40:02