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对较低所以为目前较为适宜的底板材料，并可为将来的集成电路化一体封装伺服电路预留下了安装空间） 2.4蓝宝石衬底过渡法： 按照传统的InGaN芯片制造方法在蓝宝石衬
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271718.html2012/4/10 23:24:08
灯(chmsl)设备。 1990年，开发出了能够提供相当于最好的红色器件性能的alingap技术，这比当时标准的gaasp器件性能要高出10多倍。 1994年，日本科学家中村修二在inga
http://blog.alighting.cn/130803/archive/2012/5/2/273416.html2012/5/2 14:56:46
像信号并由led器件阵列组成的显示屏幕。自1994年，日本成功研制成InGaN450nm蓝(绿)色超高亮度led以来，彩色led显示屏作为新一代的显示媒体，已广泛应用在展览中心、交
http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279457.html2012/6/20 23:05:34
http://blog.alighting.cn/146439/archive/2012/7/19/282605.html2012/7/19 11:05:03
用此一凹凸不规则之设计表面强化led光输出量，即为在芯片表面建立texture表面结晶架构。osram即有利用此方案开发thin gan高亮度产品，于InGaN层先行形成金属膜材质
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2012/9/19/290418.html2012/9/19 20:58:33
镓(gan)和铟氮化稼(InGaN)的是最具有商业运用价值的led灯资料之一。 无极灯 全球led照明疾速开展，将会股动镓和铟需要的疾速增长，也会股动越来越多的公司和自己重视铟和
http://blog.alighting.cn/184907/archive/2013/8/5/322838.html2013/8/5 14:38:28
o determine the composition of thick InGaN epilayers, s. srinivasan, r. liu, f. bertram, f.a
http://blog.alighting.cn/205341/archive/2014/3/11/349147.html2014/3/11 17:43:20
f thick InGaN epilayers, s. srinivasan, r. liu, f. bertram, f.a. ponce, s. tanaka, h. omiya, y
http://blog.alighting.cn/sdj/archive/2014/3/11/349148.html2014/3/11 17:53:32
间附近）捕获，而后再与空穴复合，每次释放的能量不大，不能形成可见光。发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大，光量子效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的，所以光仅在靠近pn结面数
http://blog.alighting.cn/meifuhui/archive/2008/7/4/55.html2008/7/4 22:53:00
”、“体积效应”和“量子效应”显现出卓越的性能优势。我公司生产的vk-cacy201塑料专用活性纳米碳酸钙粒径小、分布窄、晶型规则、白度高、分散性好、水份低，具有优良的应用性能。
http://blog.alighting.cn/weking1/archive/2009/11/17/19505.html2009/11/17 17:17:00
