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led相关材料成“十二五”新材料发展重点

镓、砷化镓、碳化、磷化铟、锗、绝缘体上(soi)等新型半导体材料,以及铜铟镓硒、铜铟硫、碲化镉等新型薄膜光伏材料,推进高效、低成本光伏材料产业

  https://www.alighting.cn/news/20120228/99663.htm2012/2/28 14:18:57

大功率led封装以及散热技术

底上生长出pn结后将蓝宝石衬底切除再连接上传统的四元材料,制造出上下电极结构的大尺寸蓝光led芯片。 2.5algainn/碳化SiC)背面出光法: 美国cre

  http://blog.alighting.cn/qq88655029/archive/2010/11/18/114843.html2010/11/18 0:13:00

大功率led封装以及散热技术

底上生长出pn结后将蓝宝石衬底切除再连接上传统的四元材料,制造出上下电极结构的大尺寸蓝光led芯片。 2.5algainn/碳化SiC)背面出光法: 美国cre

  http://blog.alighting.cn/Haidee/archive/2010/11/20/115542.html2010/11/20 23:43:00

大功率led封装以及散热技术

底上生长出pn结后将蓝宝石衬底切除再连接上传统的四元材料,制造出上下电极结构的大尺寸蓝光led芯片。 2.5algainn/碳化SiC)背面出光法: 美国cre

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258628.html2011/12/19 11:09:50

大功率led封装以及散热技术

底上生长出pn结后将蓝宝石衬底切除再连接上传统的四元材料,制造出上下电极结构的大尺寸蓝光led芯片。 2.5algainn/碳化SiC)背面出光法: 美国cre

  http://blog.alighting.cn/Haidee/archive/2010/11/20/115541.html2010/11/20 23:42:00

大功率照明级led的封装技术

底切除,再连接上传统的四元材料,制造出上下电极结构的大尺寸蓝光led芯片。 ⑤ algainn碳化SiC)背面出光法。美国cree公司是全球唯一采用SiC衬底制造algain

  http://blog.alighting.cn/neuway/archive/2011/6/19/222027.html2011/6/19 22:45:00

大功率照明级led的封装技术、材料详解

料,制造出上下电极结构的大尺寸蓝光led芯片。 ⑤algainn碳化SiC)背面出光法。美国cree公司是全球唯一采用SiC衬底制造algainn超高亮度led的厂家,几年

  http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/20/222243.html2011/6/20 22:21:00

大功率led封装以及散热技术

底上生长出pn结后将蓝宝石衬底切除再连接上传统的四元材料,制造出上下电极结构的大尺寸蓝光led芯片。 2.5algainn/碳化SiC)背面出光法: 美国cre

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261445.html2012/1/8 21:33:10

大功率led封装以及散热技术

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  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262616.html2012/1/29 0:33:42

大功率led封装以及散热技术

底上生长出pn结后将蓝宝石衬底切除再连接上传统的四元材料,制造出上下电极结构的大尺寸蓝光led芯片。 2.5algainn/碳化SiC)背面出光法: 美国cre

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