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m），最大功率达到400 mw（驱动电流1A，435 nm，芯片尺寸1mm x 1mm），其总体发光效率比正装增加1.6倍。4）全方位反射膜　　除在键合界面制备金属基反射层外，也可

http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233173.html2011/8/20 0:23:00

段投资额约2000万元。招标范围为90公顷内景观A区域照明灯具及附属工程施工，具体见施工图纸及工程量清单中的全部内容。二标段：天津市文化中心景观照明二合同工程，本标段投资额约200

http://blog.alighting.cn/cmjlaya/archive/2011/9/8/235991.html2011/9/8 9:35:20

接用铜排、柜顶铜排及连接用标准件，需成套提供　　低压电容器柜gck 2 台　　低压母线桥1600A 1 套　　【三包】　　序号项目　　名称　　　设备名称　　规格　　单

http://blog.alighting.cn/cmjlaya/archive/2011/10/31/249478.html2011/10/31 11:30:04

m），最大功率达到400 mw（驱动电流1A，435 nm，芯片尺寸1mm x 1mm），其总体发光效率比正装增加1.6倍。4）全方位反射膜　　除在键合界面制备金属基反射层外，也可

http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258474.html2011/12/19 10:55:33

m），最大功率达到400 mw（驱动电流1A，435 nm，芯片尺寸1mm x 1mm），其总体发光效率比正装增加1.6倍。4）全方位反射膜　　除在键合界面制备金属基反射层外，也可

http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41

m），最大功率达到400 mw（驱动电流1A，435 nm，芯片尺寸1mm x 1mm），其总体发光效率比正装增加1.6倍。4）全方位反射膜　　除在键合界面制备金属基反射层外，也可

http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262764.html2012/1/29 0:43:37

m），最大功率达到400 mw（驱动电流1A，435 nm，芯片尺寸1mm x 1mm），其总体发光效率比正装增加1.6倍。4）全方位反射膜　　除在键合界面制备金属基反射层外，也可

http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268364.html2012/3/15 21:57:37

m），最大功率达到400 mw（驱动电流1A，435 nm，芯片尺寸1mm x 1mm），其总体发光效率比正装增加1.6倍。4）全方位反射膜　　除在键合界面制备金属基反射层外，也可

http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271148.html2012/4/10 20:57:39

u可取0.6--0.75之间;而悬挂灯铝罩，空间高度6--10米时，其利用系数cu取值范围在0.7--0.45;筒灯类灯具在3米左右空间使用，其利用系数cu可取0.4--0.55;

http://blog.alighting.cn/zgf/archive/2012/5/2/273424.html2012/5/2 15:28:44

关,照明率也随之变化。如常用灯盘在3米左右高的空间使用，其利用系数cu可取0.6--0.75之间;而悬挂灯铝罩，空间高度6--10米时，其利用系数cu取值范围在0.7--0.45;筒

http://blog.alighting.cn/zgf/archive/2012/6/5/277736.html2012/6/5 9:06:45