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状 ingaalp超高亮度红（橙、黄）光led问世于1991年，经过改进的结构如图1所示。我国起步于1996年，南昌欣磊公司首先用进口的ingaalp外延片制成芯片，1998年国内第一台生产
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120547.html2010/12/13 23:04:00
员会 南昌市科学技术局 杭州市科学技术局 厦门市现代半导体照明产业化促进中心 大连半导体照明产业化基地 天津市半导体照明工程研发中心 绍兴袍江工业区国际投资合作
http://blog.alighting.cn/flashhsj/archive/2010/12/14/120790.html2010/12/14 16:42:00
发其他衬底上的gan基led生产技术成为国际上的一个热点。南昌大学与厦门华联电子有限公司合作承担了国家863计划项目“基于si衬底的功率型gan基led制造技术”,经过近三年的研制开
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120857.html2010/12/14 21:43:00
新格雷展览服务有限公司支持单位：重庆市科学技术委员会 南昌市科学技术局杭州市科学技术局 厦门市现代半导体照明产业化促进中心大连半导体照明产业化基地 天津市半导体照明工程研发中心绍兴袍
http://blog.alighting.cn/liudan20/archive/2010/12/17/121662.html2010/12/17 13:00:00
http://blog.alighting.cn/liudan20/archive/2010/12/17/121663.html2010/12/17 13:00:00
http://blog.alighting.cn/liudan20/archive/2010/12/17/121672.html2010/12/17 13:29:00
http://blog.alighting.cn/liudan20/archive/2010/12/17/121683.html2010/12/17 14:21:00
n基led生产技术成为国际上的一个热点。南昌大学与厦门华联电子有限公司合作承担了国家863计划项目“基于si衬底的功率型gan基led制造技术”，经过近三年的研制开发，目前已通过科
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127090.html2011/1/12 17:23:00
力都放在寻找晶格失配较小的衬底上，si衬底的使用并未引起人们太多兴趣，随着许多技术和观念上的突破，si衬底gan基材料生长越来越成为人们关注的焦点。我国南昌大学就首先突破了硅基ga
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134118.html2011/2/20 22:54:00
0年代后期高亮度led产业得到迅速发展。2003年科技部启动国家半导体照明工程，同时推动国家半导体照明产业化基地的建设，共建成大连光产业园、上海张江高科技园、南昌联创光电科技园、厦
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/3/16/143104.html2011/3/16 21:36:00
