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在美国拉斯韦加斯举办的氮化物半导体国际学会「icns-7」上，加州大学圣巴巴拉分校（ucsb）与三菱化学联合发表了利用GaN结晶非极性面的蓝色led。
https://www.alighting.cn/news/20071008/105060.htm2007/10/8 0:00:00
美国设备大厂veeco instruments inc.日前宣布台厂华上于2010年q2向其订购了数台turbodisc k465i氮化鎵（GaN）与e475砷化磷（as/
https://www.alighting.cn/news/20100720/117794.htm2010/7/20 0:00:00
鎵、砷、磷三种元素，所以俗称这些led为三元素发光管。而GaN（氮化镓）的蓝光 led 、gap 的绿光 led和gaas红外光led，被称为二元素发光管。而目前最新的工艺是用混合
http://blog.alighting.cn/cookie/archive/2010/10/15/106910.html2010/10/15 15:04:00
电子制造商富士康(foxconn)开发出利用纳米微粒掺杂局限层(confining layer)的方式来，让氮化铟镓(inGaN)与砷化铝镓(algaas)活性层的晶格排列更平
https://www.alighting.cn/resource/20090630/128710.htm2009/6/30 0:00:00
素化合的化合物。gap是一种间接迁移型半导体,具有低电流、高效率的发光特性,可发光范围函盖红色至黄绿色,为led主要使用材料之一。GaN氮化镓。氮化镓,是ⅲ-ⅴ族元素化合的化合
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229896.html2011/7/17 23:03:00
是开发蓝光led时，碳化矽(sic)与氮化镓(GaN)两大门派之争。这也是许多研发团队辛勤投入开发蓝光led元件时，必须痛苦抉择的两条截然不同的道路。 之前，全球许多大公司皆投
http://blog.alighting.cn/beebee/archive/2010/11/17/114813.html2010/11/17 22:50:00
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261392.html2012/1/8 20:27:31
相使用对方三五族半导体发光二极管led的技术专利，其中包含蓝光inGaN(氮化铟镓)led与四元algainp(磷化铝镓铟)led的技术。未来晶电及广镓(8199)均可以使用丰田合
https://www.alighting.cn/news/20100917/104648.htm2010/9/17 0:00:00
根据美国商业资讯报导，极特先进科技公司(gt advanced technologies)(nasdaq:gtat)与soitec(nyse euronext:soi)宣布一项开发
https://www.alighting.cn/news/20130320/112560.htm2013/3/20 11:28:14
利用mocvd系统在al2o3衬底上生长ingan材料和ingan/gan量子阱结构材料。研究发现,ingan材料中in组份几乎不受tmg与tmi的流量比的影响,而只与生长温度有关
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127009.htm2011/10/18 14:04:18
