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研究了gan/algan异质结背照式p-i-n结构可见盲紫外探测器的制备与性能。gan/algan外延材料采用金属有机化学气相沉积(mocvd)方法生长,衬底为双面抛光的蓝宝
https://www.alighting.cn/resource/20130522/125583.htm2013/5/22 10:23:13
苹果公布iwatch专利申请项目，外界揣测，苹果可能将开发智慧手表，由于表面将采用蓝宝石基板材质，蓝宝石基板族群兆远、越峰、鑫晶钻、佳晶科等可望受惠。蓝宝石基板接单升温，蓝宝石基
https://www.alighting.cn/news/20130521/98649.htm2013/5/21 9:18:52
于两大元素：一是芯片本身；二是灯具技术，包含散热、光学、驱动等。目前，led芯片技术发展的关键在于基底材料和外延生长技术。基底材料由传统的蓝宝石材料、硅和碳化硅，发展到氧化锌、氮化
http://blog.alighting.cn/lanjianghong/archive/2013/5/20/317581.html2013/5/20 14:03:33
基本上，由于蓝宝石基板面临技术瓶颈，led厂商正积极寻找新的基板材料，而硅基氮化镓可减少热膨胀差异系数，不仅能强化led发光强度，更可以大幅降低制造成本、提高散热表现，因此成
https://www.alighting.cn/news/20130520/88400.htm2013/5/20 9:16:28
采用金属有机化学汽相沉积生长法(mocvd),在不同的衬底表面处理条件和生长温度下,在gaas衬底上生长出了zno薄膜。随着化学腐蚀条件的不同,可生长出优先定位不同的zno(100
https://www.alighting.cn/resource/20130516/125599.htm2013/5/16 10:31:08
m)对其表面形貌和结构进行了测试和分析。通过测试分析得知,这些zno薄膜在生长温度400℃时能够获得较好的晶体结构,薄膜表面平整,晶粒均
https://www.alighting.cn/resource/20130515/125605.htm2013/5/15 11:28:09
疑到客户肯定的蜕变。 硅衬底led技术路线也是我国目前为止唯一可以与蓝宝石led技术和碳化硅led技术“三足鼎立”的路线，拥有国际国内200多项公开或授权专利(其中中国专利授权36
http://blog.alighting.cn/wangmin/archive/2013/5/15/317208.html2013/5/15 10:08:53
介绍了一种大功率、高亮度led倒装散热封装技术。采用背面出光的蓝宝石led芯片,倒装焊接在有静电放电(esd)保护电路的硅基板上。该封装技术针对传统led出光效率低下和散热问题做
https://www.alighting.cn/resource/20130514/125606.htm2013/5/14 13:15:35
用双舟热蒸发技术在硅衬底上制备硫化锌电致发光薄膜,用xrd、xps技术和电致发光谱分析技术,研究该薄膜的微结构与发光特性.发现硅衬底上硫化锌薄膜与硫化锌粉末在晶体结构上存在差
https://www.alighting.cn/resource/20130514/125608.htm2013/5/14 11:12:06
日立电线株式会社宣布成功开发出在蓝宝石基板上生长的高质量氮化镓(gan)单晶薄膜的gan模板全新量产技术，并已开始销售。通过将该产品用作“白色led外延片”的底层基板，可以大幅提
https://www.alighting.cn/news/2013510/n857651594.htm2013/5/10 10:52:50
