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led 行业要求其晶片在晶向、纯度、弯曲度、翘曲度、总厚度偏差、粗糙度、洁净度诸项指标上均达到严格的质量标准。某些线性晶体缺陷，例如小角度晶界或材料微观尺度取向的改变，能够
https://www.alighting.cn/2012/2/27 10:20:04
本文介绍的各项研究是与知名的第三方机构共同开展的，目的是检验极特先进科技有限公司的高级蓝宝石晶体长晶炉(asf?)生产的蓝宝石的粉红色调对led晶片或标准led制造工艺有何影
https://www.alighting.cn/2012/2/27 10:07:54
2012年2月24日，日本丰田合成株式会社在台湾桃园地方法院对led晶片厂商璨圆光电提起了侵权诉讼。在该诉讼中，丰田合成提出被告侵犯了有关氮化镓(GaN)发光二极体(led晶片)
https://www.alighting.cn/news/2012224/n354137752.htm2012/2/24 17:10:35
据日经新闻23日报导，三菱化学(mitsubishi chemical)计划于今(2012)年10月开始量产使用于led的氮化镓(GaN)基板，因其电光转换率高(将电力转换成
https://www.alighting.cn/news/20120223/114925.htm2012/2/23 9:48:18
界范围内GaN基led产业发展来看，前五大公司美国cree,德国osram，荷兰philips，日本nichia以及toyodagosei等五家公司拥有80%～90%的原创性发明专
http://blog.alighting.cn/112017/archive/2012/2/16/264206.html2012/2/16 11:20:52
2012年2月14日，2011年度国家科学技术奖励大会在北京隆重举行，大连美明外延片科技有限公司、中国科学院物理研究所、清华大学和大连路美芯片科技有限公司联合研发的《GaN基蓝绿
https://www.alighting.cn/news/20120216/99936.htm2012/2/16 10:58:26
2年外延芯片价格压力仍将持续。 2011年，国内GaN芯片产能增长达到12000kk/月，但产能利用不足50%，全年产量仅为710亿颗，但国产化率达到70%以上。同时，国内芯片已
http://blog.alighting.cn/110131/archive/2012/2/15/264169.html2012/2/15 16:28:24
近日，科技部公布“十二五”国家高技术研究发展计划(863计划)新材料技术领域“高效半导体照明关键材料技术研发”重大项目立项名单，其中南昌大学申报的“大尺寸si衬底GaN基led外
https://www.alighting.cn/news/2012214/n966637529.htm2012/2/14 10:21:25
2月9日，江西省科技厅透露，江西省“大尺寸si衬底GaN基led外延生长、芯片制备及封装技术” 课题获得“十二五”国家高技术研究发展计划资助5000多万元人民币，居全国14项课
https://www.alighting.cn/news/20120210/99824.htm2012/2/10 9:38:19
2月9日，记者从江西省科技厅获悉，江西省“大尺寸si衬底GaN基led外延生长、芯片制备及封装技术” 课题获得“十二五”国家高技术研究发展计划资助5000多万元，居全国14项课
https://www.alighting.cn/news/2012210/n117137431.htm2012/2/10 8:55:09
