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们没有掌握核心技术，尽管我们led应用产品制造能力在全球占到50%,份额占到50%,但利润确实最低的一环。 led芯片 随工艺、数量增长采用更大尺寸晶圆片制作工艺，会不断的降低成
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268337.html2012/3/15 21:56:18
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268119.html2012/3/15 21:17:58
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/267917.html2012/3/15 21:05:19
s及其合金等称为第二代电子材料，宽禁带(eg2.3e v)半导体材料近年来发展十分迅速，成为第三代电子材料，主要包括sic,zn se、金刚石和GaN等。宽禁带半导体材料具有禁带宽
http://blog.alighting.cn/1059/archive/2012/3/15/267830.html2012/3/15 19:29:50
台积电(2330)中科fab15本季量产后，12寸晶圆月产能将首度突破30万片，来到30.4万片，在产能逐季增加下，法人预估，台积电今年底12寸月产能挑战35万至40万片大关，持
https://www.alighting.cn/news/20120315/113842.htm2012/3/15 10:13:58
本文的主要研究内容涉及图形化衬底对GaN基led发光二极管光电性能的影响。实验中制作了表面图形直径和周期不同的GaN图形衬底。再利用mocvd材料生长设备侧向外延生长了GaN
https://www.alighting.cn/resource/20120314/126666.htm2012/3/14 14:36:30
针对于目前蓝光led所使用的蓝宝石衬底存在以下两个问题，蓝宝石和GaN存在着17%的晶格不匹配，直接在蓝宝石衬底上生长出来的外延缺陷严重。出光效率低下，大部分光被限制在led芯片
https://www.alighting.cn/resource/20120314/126667.htm2012/3/14 13:45:14
底。因为硅材料的基底不受专利的限制。而且性能还优于蓝宝石。唯一的问题是GaN的膨胀系数和硅相差太大而容易发生龟裂，解决的方法是在中间加一层氮化铝(aln)作缓
http://blog.alighting.cn/cwlvxue2008/archive/2012/3/12/267555.html2012/3/12 19:16:18
2012年2月27日，德州仪器(ti)在北京举办了新闻发布会，推出隔离式电源的创新技术，最新ucd3138数字电源控制器与最新mosfet栅极驱动器。
https://www.alighting.cn/pingce/20120312/122631.htm2012/3/12 12:18:11
http://blog.alighting.cn/25852/archive/2012/3/10/267444.html2012/3/10 10:14:59
