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基于si衬底的功率型gan基LED制造技术

1993年世界上第一只gan基蓝色LED问世以来,LED制造技术的发展令人瞩目。目前国际上商品化的gan基LED均是在蓝宝石衬底或sic衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度高、导电

  https://www.alighting.cn/resource/20101124/128212.htm2010/11/24 17:57:30

东晶电子联手浙师大,加强LED技术研发

d用蓝宝石晶片研发和LED芯片技术开发等领域开展项目合

  https://www.alighting.cn/news/20110825/117468.htm2011/8/25 10:16:21

硅衬底gan基LED研究进展

制及其它电子器件结构生长的一个关健问题。近年来, 随着工艺的发展, gan晶体质量得到大幅度的提高。同时不少研究小组成功地在si衬底上制造出LED。介绍了gan薄膜开裂问题及近期硅衬

  https://www.alighting.cn/resource/20131216/125001.htm2013/12/16 14:04:47

cl_2/bcl_3icp刻蚀蓝宝石研究

本文研究了icp刻蚀蓝宝石中工艺参数对蓝宝石刻蚀速率的影响规律,所用气体为cl2/bcl3,研究结果表明,蓝宝石的刻蚀速率随着icp功率、rf功率和气体总流量的增大单调增大;随

  https://www.alighting.cn/resource/20130416/125723.htm2013/4/16 10:49:04

sdk研究LED晶体生长新工艺:混合ppd工艺有望突破亮度极限

为了满足日益增长的市场需求,昭和电工集团(sdk)研究出一种制造氮化镓(gan)基及其他氮化物基优质复合半导体的新工艺,主要用于蓝色和白色发光二极管(LED)。

  https://www.alighting.cn/resource/20070312/128484.htm2007/3/12 0:00:00

LED外延片介绍以及辨别外延片质量方法

外延生长的基本原理是:在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和sic,si)上,气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前LED外延片生

  https://www.alighting.cn/resource/20110428/127684.htm2011/4/28 11:47:30

晶电正式跨入研发矽基板LED磊晶技术

晶电在先进技术选择上,未进军oLED,而是发展矽基板LED磊晶。晶电指出,蓝宝石基板发展到6吋以上,基板成本垫高倍数,考量LED性价比,6吋以上的矽基板更具成本优势,因此晶电已展

  https://www.alighting.cn/news/20120530/113584.htm2012/5/30 9:45:13

岁末盘点 2014十大LED行业破产倒闭案

2014年即将过去,回顾过去这一年,对于LED企业来说,它是一个"机遇年",更是一个"是非年"。价格战、渠道战、专利战让LED行业竞争加剧风险,企业战战兢兢,而破产、倒闭潮、跑路

  https://www.alighting.cn/news/20141229/107790.htm2014/12/29 11:15:06

什么是gan的最佳衬底?

对于高亮度LED制造业来说,蓝宝石上gan明显是一种领先的方案;sic上gan几乎也一样,对眼下基于氮化物的无线/射频产品而言,它是一张中奖彩票。硅上gan也是用于这几个市场,但

  https://www.alighting.cn/resource/20101201/128165.htm2010/12/1 15:21:37

水晶光电预计1-6月净利润同比增长30%至60%

水晶光电表示,业绩变动的原因是:公司上半年手机相关产品特别是高端智能手机用的蓝玻璃组立件产品需求旺盛,而且该类产品经过前期的技术和工艺的改善;蓝宝石衬底在LED市场持续增长的基

  https://www.alighting.cn/news/20140529/111267.htm2014/5/29 9:17:45

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