站内搜索
效晶体管(field effect transistor,tft)控制该子像素的电场强度,以决定通过该子像素的光强度；通过各子像素的光能量,再经由各子像素所对应的原色(红色、绿色
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229939.html2011/7/17 23:25:00
用的高质量的sic衬底的厂家只有美国cree公司。国内外sic衬底今后研发的任务是大幅度降低制造成本和提高晶体结晶质量。4)si衬底在硅衬底上制备发光二极管是本领域里梦寐以求的一
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229932.html2011/7/17 23:23:00
一定条件下,外延层的生长速度与金属有机源的供应量成正比。mocvd及相关设备技术发展现状：mocvd 技术自二十世纪六十年代首先提出以来,经过七十至八十年代的发展,九十年代已经成
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229933.html2011/7/17 23:23:00
用,在ic中用量不大,它需要在单晶si片表面上沉积一薄的单晶si层。一般外延层的厚度为2～20μm,而衬底si厚度为610μm(150mm直径片和725μm(200mm片)。外延沉
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229934.html2011/7/17 23:23:00
大新兴市常我国已成为手机、电脑与电视生产与消费大国,预计2010年国内笔记本电脑、液晶显示器、液晶电视销量分别为1900万台、2500万台、1800万台,对功率型白光led的平均需求
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229931.html2011/7/17 23:22:00
led是一类可直接将电能转化为可见光和辐射能的发光器件,具有工作电压低,耗电量小,发光效率高,发光响应时间极短,光色纯,结构牢固,抗冲击,耐振动,性能稳定可靠,重量轻,体积小,成
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229929.html2011/7/17 23:21:00
作的商用化led。这些早期的红色led每瓦大约能提供0.1流明(lumens)的输出光通量,比一般的60至100瓦白炽灯的15流明要低上100倍。1968年,led的研发取得了突破性进
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229925.html2011/7/17 23:19:00
u的估算假定利用系数u在0.2-0.3之间。(5)每瓦led-光通量以蓝光为例,取单位功率(每瓦)10-15lm.(6)etfe气枕每平米表面所需功率约为6-15w,取6w。经过试
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229922.html2011/7/17 23:18:00
理,衬底与外延膜之间可以获得高质量的解理面,这将大大简化器件的结构；但是同时由于其层状结构,在衬底的表面常有给外延膜引入大量的缺陷的台阶出现。实现发光效率的目标要寄希望于gan衬
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229923.html2011/7/17 23:18:00
光的光谱范围。发光强度：发光强度的衡量单位有照度单位(勒克司lux)、光通量单位(流明lumen)、发光强度单位(烛光candle power) 1cd(烛光)指完全辐射的物体,在白
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229921.html2011/7/17 23:17:00
