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长光照明宣布拥有130lm/w的led面光源封装技术

长光照明技术负责人宣布:公司拥有完全自主知识产权,基于多芯片集成cob直接封装的led面光源技术光效已达130lm/w,整灯光效以大于100lm/w,成为业界最高光效、最亮的多芯

  https://www.alighting.cn/resource/20100712/127969.htm2010/7/12 17:15:51

led结温成因分析及对策

led的基本结构是一个半导体的pn结。实验指出,当电流流过led元件 时,pn结的温度将上升,严格意义上说,就把pn结区的温度定义为led结温。通常由于元件芯片均具有很小的尺

  https://www.alighting.cn/resource/20101129/128177.htm2010/11/29 17:50:40

超高亮led优缺点及其应用

在简要介绍超高亮led的特点以及特性的基础上,详细介绍了led的电阻限流、线性调节器和开关调节器等驱动方式,在此基础上介绍了超高亮led的驱动芯片mlx10801的功能和应用。并

  https://www.alighting.cn/resource/20101028/128250.htm2010/10/28 15:16:25

晶科电子将携最新无金线陶瓷基光源产品亮相上海

晶科电子“e系列”产品是基于apt专利技术—倒装焊接技术,实现了单芯片及多芯片模组的无金线、无固晶胶封装,具有高亮度、高光效、高可靠性、低热阻、颜色一致性好等特点。

  https://www.alighting.cn/news/2012312/n920438104.htm2012/3/12 11:51:07

led结温产生的原因及对策

led的基本结构是一个半导体的p—n结。实验指出,当电流流过led组件时,p—n结的温度将上升,严格意义上说,就把p—n结区的温度定义为led的结温。通常由于组件芯片均具有很

  https://www.alighting.cn/resource/20081218/128962.htm2008/12/18 0:00:00

led外延片的生长工艺介绍

早期在小积体电路时代,每一个6吋的外延片上制作数以千计的芯片,现在次微米线宽的大型vlsi,每一个8吋的外延片上也只能完成一两百个大型芯片。外延片的制造虽动輒投资数百亿,但却是所

  https://www.alighting.cn/resource/20091013/128998.htm2009/10/13 0:00:00

5所大学针对uv-led封装都采用了什么招?

uv-led单个芯片面积小,便于灵活设计;但相应的是单个芯片的辐射功率也较低,在很多应用中难以满足高辐射功率密度的要求,这也是目前uv-led在众多领域很难替代uv放电灯的重要原

  https://www.alighting.cn/resource/20160120/136590.htm2016/1/20 14:08:46

由ic摩尔定律突破的困境看led海兹定律的极限突破!

2015年是led产业很低潮的一年,尤其是中上游,经历了产能过剩,芯片与灯珠一个月一个价,跌跌不休让芯片与灯珠的议价几乎是一个很痛苦的过程,相信很多从事led技术的人跟我一样有一

  https://www.alighting.cn/resource/20160220/137084.htm2016/2/20 10:15:08

首尔半导体acrich mjt led创新解决方案

mjt是多p/n结技术,它的驱动电压要比常规的led的驱动电压高。市场上的高压led实际上是许多led芯片串并联而成,电路设计复杂,mjt则采用多junction 技术集成在同

  https://www.alighting.cn/news/2014227/n939360266.htm2014/2/27 13:19:10

资深工程师vs老军医:粉碎cob三大谣言

要弄清楚cob究竟适不适合,得先看看cob究竟是个什么玩意儿——cob即chip-on-board,原指把多颗半导体芯片集成到一块线路板上的封装技术。在led行业特指把多颗le

  https://www.alighting.cn/resource/20160705/141651.htm2016/7/5 10:08:24

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