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现代mocvd技术的发展与展望

mocvd是一门制造化合物半导体器件的关键技术- 本文综合分析了现代mocvd 技术的基本原理、特点及实现这种技术的设备的现状及其发展- 重点讨论了能实现衬底温度、衬底表面反应源

  https://www.alighting.cn/2012/9/12 18:03:34

针对中大尺寸lcd屏的led背光策略

本文针对性的探讨了中大尺寸lcd屏的led背光策略,led是电流型器件,需要专用的驱动ic。它的亮度与流过的电流成正比。用驱动ic控制led的电流一般有恒压源和恒流源两种方

  https://www.alighting.cn/resource/20120406/126624.htm2012/4/6 12:53:00

led灯具的保护技术

白光led属于电压敏感型的器件。每支led工作时电流不要超过20ma,超过太多led就会很容易被烧毁。led如果是正常使用,其寿命是非常长的。但人们在实际使用中led往往容易

  https://www.alighting.cn/2012/3/22 13:15:04

高亮度led的结构特点和应用

由于高亮度 led制造工艺、器件设计、组装技术叁方面的进展, led 发光器的性能一直在提高,其成本一直在降低,性能提高和成本降低的速度都令人难忘。pn结设计、再辐射磷光体和透

  https://www.alighting.cn/2012/3/22 12:12:26

led灯具寿命提高需要不断的优化设计

在led产品体系中,60%以上的生产故障以及70%以上的市场返修都是由于器件失效引起的,但是大多数公司对此却没有采用系统化的电子可靠性工程方法来解决,导致产品质量不高,使用寿命不

  https://www.alighting.cn/2012/2/16 11:04:07

大功率led散热封装的研究

随着led器件功率的不断增加,散热问题变得尤为突出,国内外都认为这是led发展前进道路上亟待突破的一个关键技术。为此,各个产家和研发机构都采取了不同的封装方式来解决,但总存在着热

  https://www.alighting.cn/2011/12/16 14:52:06

制备高亮度led的等离子刻蚀技术

每个hbled制造商的目标都是花更少的钱获得更多的光输出。面对强大的竞争和众多技术障碍,至关重要的是所有的生产步骤的推进都要产生最佳的效果。优化的等离子刻蚀提供了几种方法以改善器

  https://www.alighting.cn/resource/20111125/126851.htm2011/11/25 13:48:27

理论学者揭示是俄歇机制引起led发光效率的降低

通过计算发现两种形式的间接俄歇复合机制是引起led发光效率降低的主要原因。led发光效率降低是指在高驱动电流条件下led 器件发光效率降低的现象,许多研究者集中地讨论了导致le

  https://www.alighting.cn/2011/11/14 13:56:08

一种高亮度led的等离子刻蚀技术

led制造商的目标都是花更少的钱获得更多的光输出。面对强大的竞争和众多技术障碍,至关重要的是所有的生产步骤的推进都要产生最佳的效果。优化的等离子刻蚀提供了几种方法以改善器件的输出

  https://www.alighting.cn/resource/20111104/126921.htm2011/11/4 14:05:13

探秘:硅上氮化镓(gan)led

些芯片安装到器件中,使得内量子效率接近40

  https://www.alighting.cn/2011/11/1 11:53:19

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