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效晶体管(field effect transistor,tft)控制该子像素的电场强度,以决定通过该子像素的光强度；通过各子像素的光能量,再经由各子像素所对应的原色(红色、绿色
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led是一类可直接将电能转化为可见光和辐射能的发光器件,具有工作电压低,耗电量小,发光效率高,发光响应时间极短,光色纯,结构 牢固,抗冲击,耐振动,性能稳定可靠,重量轻,体积
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题；(2)发光完全可控,不存在液晶显示的背光泄漏或等离子显示的预放电问题,黑色表现力大大提高；(3)发光效率可达5lm/w,使其耗电量只有同规格的等离子和液晶显示器的一半；(4)由
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用的高质量的sic衬底的厂家只有美国cree公司。国内外sic衬底今后研发的任务是大幅度降低制造成本和提高晶体结晶质量。4)si衬底在硅衬底上制备发光二极管是本领域里梦寐以求的一
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一定条件下,外延层的生长速度与金属有机源的供应量成正比。mocvd及相关设备技术发展现状：mocvd 技术自二十世纪六十年代首先提出以来,经过七十至八十年代的发展,九十年代已经成
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用,在ic中用量不大,它需要在单晶si片表面上沉积一薄的单晶si层。一般外延层的厚度为2～20μm,而衬底si厚度为610μm(150mm直径片和725μm(200mm片)。外延沉
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大新兴市常我国已成为手机、电脑与电视生产与消费大国,预计2010年国内笔记本电脑、液晶显示器、液晶电视销量分别为1900万台、2500万台、1800万台,对功率型白光led的平均需求
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led是一类可直接将电能转化为可见光和辐射能的发光器件,具有工作电压低,耗电量小,发光效率高,发光响应时间极短,光色纯,结构牢固,抗冲击,耐振动,性能稳定可靠,重量轻,体积小,成
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作的商用化led。这些早期的红色led每瓦大约能提供0.1流明(lumens)的输出光通量,比一般的60至100瓦白炽灯的15流明要低上100倍。1968年,led的研发取得了突破性进
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