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同的碱土金属元素及其含量对荧光粉的激发和发射光谱有不同的影响。图3为ca、sr比不同的情况下在460nm蓝光激发时该荧光粉的发射光谱。随着钙含量的增加,发射峰朝长波方向移动,且发
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示、高效率太阳能电池的优良半导体材料。一、制造inn薄膜目前存在的难题制备高质量的inn体单晶材料和外延薄膜单晶材料是研究和开发inn材料应用的前提。但是,制造inn薄膜有两大困
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却是所有电子工业的基矗硅晶柱的长成,首先需要将纯度相当高的硅矿放入熔炉中,并加入预先设定好的金属物质,使产生出来的硅晶柱拥有要求的电性特质,接着需要将所有物质融化后再长成单晶的硅晶
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度适合。?ゼbr②可获得电导率高的p型和n型材料。③可获得完整性好的优质晶体。④发光复合几率大。外延技术与设备是外延片制造技术的关键所在,金属有机物化学气相淀
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长iii-v族,ii-vi族化合物及合金的薄层单晶的主要方法。下面是关于led外延片技术的一些资料。1.改进两步法生长工艺目前商业化生产采用的是两步生长工艺,但一次可装入衬底数有限,6片
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底上喷涂了场致发光材料并夹在两层电极之间组成。el场致发光灯的 供应商可以通过使用不同的发光材料,比如硫化锌、硫化钙或硫化锶,再掺杂其他成份如镁、钐、铕或添加萤光染色剂等,来调整
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效晶体管(field effect transistor,tft)控制该子像素的电场强度,以决定通过该子像素的光强度；通过各子像素的光能量,再经由各子像素所对应的原色(红色、绿色
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理工序：本工序的主要工作是在晶圆上制作电路及电子元件(如晶体管、电容、逻辑开关等),其处理程序通常与产品种类和所使用的技术有关,但一般基本步骤是先将晶圆适当清洗,再在其表面进行氧化
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素的有机化合物和ⅴ族元素的氢化物等作为晶体生长原料,以热分解反应方式在衬底上进行汽相外延,生长各种ⅲ-ⅴ族、ⅱ-ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄膜层单晶材料。mocvd是在
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