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金, 铜等)没有损伤,对硅及硅化合物(如sio2 或 si3n4)仅有极轻微损伤。蚀刻的速度快,能同时对带有不同厚度光刻胶的基板进行蚀刻,还可以剥离超厚光刻胶层(大于1mm),可进
http://blog.alighting.cn/cngeiao/archive/2012/5/20/275227.html2012/5/20 20:36:11
脂;103一106组成铝基板,其中103为铝板,104为绝缘层,105为敷铜层,106为阻焊层201一204组成led灯,其中201为电极,202为led底座,203为led的pn
http://blog.alighting.cn/cngeiao/archive/2012/5/20/275076.html2012/5/20 20:25:14
由金线将热能导出 (4). 若为共晶及flip chip制程,热能将经由通孔至系统电路板而导出 一般而言,led晶粒(die)以打金线、共晶或覆晶方式连结于其基
http://blog.alighting.cn/cngeiao/archive/2012/5/20/275040.html2012/5/20 20:21:28
http://blog.alighting.cn/cngeiao/archive/2012/5/20/275037.html2012/5/20 20:21:18
灯问题图1所示led路灯是当前最典型、最普遍采用的结构:散热片裸露,大张的设有led光源芯片的铝基板,贴装在散热片基板上(下方),再加前透明护罩。这种结构设计有如下问题:1、传热设
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2012/5/20/274999.html2012/5/20 16:37:27
朗天两大股东光磊及光颉,亦积极朝led照明市场发展,其中光磊今年首季即获大股东日亚化扩大下单,显示日本led照明需求的急迫性,而朗天在两大股东的助益下,有机会透过日亚化打入日本照明
https://www.alighting.cn/news/20120518/114400.htm2012/5/18 9:38:23
大功率led器件的生产,需要制备合适的大功率led芯片,本文主要介绍国际上制造大功率led芯片的几种主流方法。
https://www.alighting.cn/2012/5/17 10:06:37
指在led负载端和220v输入端有直接连接,因此触摸负载就有触电的危险。220v和铝壳之间只有铝基板的极薄绝缘层的隔离,通常不容易通过ce和ul认证。 图2. 隔离式led日光灯电
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274792.html2012/5/16 21:32:04
粉 四、蓝led+znse单结晶基板 目前手机、数字相机、pda等背光源所使用之白光led采用蓝光单晶粒加yag萤光而成。随着手机闪光灯、大中尺寸(nb、lcd-tv等)显示屏光
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274781.html2012/5/16 21:31:22
体的制作技术,应该可以克服上述困扰。如上所述提高施加电力的同时,必需设法减少热阻抗、改善散热问题,具体内容分别是:降低芯片到封装的热阻抗、抑制封装至印刷电路基板的热阻抗、提高芯片的散
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274780.html2012/5/16 21:31:19