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研究了gan/algan异质结背照式p-i-n结构可见盲紫外探测器的制备与性能。gan/algan外延材料采用金属有机化学气相沉积(mocvd)方法生长,衬底为双面抛光的蓝宝
https://www.alighting.cn/resource/20130522/125583.htm2013/5/22 10:23:13
主要是以氧化镓为原料,通过气相沉积法,制备出gan纳米线和纳米带.通过x-射线衍射(xrd),扫面电镜(sem)和高分辨透射电镜(hrtem)等测试手段对其形貌进行了表征和分析.研
https://www.alighting.cn/resource/20130521/125588.htm2013/5/21 10:42:04
d的产业链很长，涉及面宽，应用非常广泛。不能轻易地说整个产业产能过剩，当前从投资的情况来看，的确出现了上游外延设备购置数量多、针对通用照明的技术能力跟不上等问题，因此发展过程中出
http://blog.alighting.cn/zszmzk/archive/2013/5/21/317638.html2013/5/21 9:46:14
年的制备实践经验及研发资历，是多项led专利技术的发明人。对于产能过剩的说法，林振贤认为由于政府补贴导致各种热钱涌入，目前出现了上游led外延和芯片企业发展过快的问题，“现在是一次性
http://blog.alighting.cn/zszmzk/archive/2013/5/21/317628.html2013/5/21 9:35:46
于两大元素：一是芯片本身；二是灯具技术，包含散热、光学、驱动等。目前，led芯片技术发展的关键在于基底材料和外延生长技术。基底材料由传统的蓝宝石材料、硅和碳化硅，发展到氧化锌、氮化
http://blog.alighting.cn/lanjianghong/archive/2013/5/20/317581.html2013/5/20 14:03:33
须制备高质量的金属-zno接触。本论文采用脉冲激光沉积(pld)薄膜外延生长技术,制备并系统地研究了金属-zno薄膜的接触特
https://www.alighting.cn/2013/5/20 10:05:56
续收购广东健隆达及恩平健隆全部led资产，收购深圳市锐拓显示技术有限公司60%股权，与韩国epivalley公司签订战略合作协议，进军led外延片及芯片研发及制造领域。通过
http://blog.alighting.cn/wangdonglei/archive/2013/5/15/317250.html2013/5/15 17:07:00
行快速分选、这样做的优点是快速，但缺点是可***性比较低，容易出错，因为在测试与分选两个步骤之间通常还有衬底减薄和芯片分离的工艺过程，而在这个过程中，外延片有可能碎裂、局部残缺碎裂
http://blog.alighting.cn/175310/archive/2013/5/14/317135.html2013/5/14 10:42:56
长的态势，外延芯片投资占比明显下降，而应用投资却大幅提升，进而成为半导体照明投资最为集中的产业环节，封装投资次之。大量资金涌入半导体照明产业，推高了行业发展的速度，同时引发了人们对投
http://blog.alighting.cn/chlhzm/archive/2013/5/13/317078.html2013/5/13 11:54:36
见，具体公示和征求意见时间为1月5日至16日。 招商“中间人”也可享最高百万元奖励 在促进led项目投资上，《意见》共提出6项具体办法，其中规定对led产业链外延、芯片、封装、应用、
http://blog.alighting.cn/178081/archive/2013/5/11/317020.html2013/5/11 23:49:05
