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移的同侧结构相比,转移后的垂直结构GaN蓝光led的电学性能、发光性能和结构性能明显改善,光输出功率显著提高.垂直结构led的GaN层受到的张应力比同侧结构led
https://www.alighting.cn/resource/20130422/125688.htm2013/4/22 13:10:12
由器件的尺寸、结构及材料所决定的固定值。设发光二极管的热阻为rth（℃/w），热耗散功率为pd（w），此时由于电流的热损耗而引起的pn结温度上升为： △t（℃）=rth×p
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134134.html2011/2/20 23:01:00
在显示器学会“sid 2009”上，索尼柔性oled的论文被评为“优秀论文（distinguished paper）”，在此次数量较少的日本论文中备受关注。索尼新开发出了可支持大
https://www.alighting.cn/news/20090611/105626.htm2009/6/11 0:00:00
个可弯曲的柔性oled小屏幕值得关
https://www.alighting.cn/news/20090107/106725.htm2009/1/7 0:00:00
采用电镀金属基板及湿法腐蚀衬底的方法将硅衬底上外延生长的GaNmqwled薄膜转移至不同结构的金属基板,通过高分辨x射线衍射(hrxrd)和光致发光(pl)研究了转移的GaN薄
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126968.htm2011/10/25 13:48:12
本文对发光二极管下游封装(结构参数)进行了探讨和研究。利用光学仿真模拟软件tracepro对led进行光学建模,在此基础上通过对聚光腔的优化设计来改变led整体的发光效率。
https://www.alighting.cn/resource/20131029/125177.htm2013/10/29 13:49:05
一种双向二极硅流管和一种纳灯电子触发器。双向二极闸流管是用硅单晶片制成的ｎｐｎｐｎ五层结构的二极管，用于交流电路中因无控制极可简化电路
https://www.alighting.cn/resource/200728/V8829.htm2007/2/8 14:30:03
https://www.alighting.cn/news/200728/V8829.htm2007/2/8 14:30:03
校科学家将钙钛矿层整合进发光二极管(led)内，得到的产品内部发光效率接近创纪录的100%，可与最好的有机led(oled)相媲美，未来有望应用于显示、照明、通信及下一代太阳能电
https://www.alighting.cn/pingce/20181112/158993.htm2018/11/12 9:47:25
利用金属有机化学气相沉积(mocvd)法在si衬底上生长了一系列具有不同p层厚度d的inGaN/GaN蓝光led薄膜并制备成垂直结构发光二极管(vleds),研究了p层厚度即p
https://www.alighting.cn/resource/20130403/125768.htm2013/4/3 10:40:48
