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南昌晶能光电项目打造led产业集群

1日上午,预计总投资高达7000万美元的晶能光电(江西)有限公司“硅发光二极管材料及器件”产业化项目

  https://www.alighting.cn/news/200793/V8304.htm2007/9/3 9:53:32

蓝宝石基led外延片背减薄与抛光工艺研究

目前在蓝光led的制备中,通常采用异质外延的方法生长氮化镓材料。在商品化的led中,绝大部分采用蓝宝石作为外延生长的材料。

  https://www.alighting.cn/news/20091023/V21323.htm2009/10/23 17:36:07

2013年氮化镓设备市场将有所增长

高品质蓝宝石和碳化硅使氮化镓设备(主要是高亮度led)市场快速增长,2008年,市场就已达46亿美元。

  https://www.alighting.cn/news/20090601/95874.htm2009/6/1 0:00:00

crystal is获得500万美元的风险投资

位于美国纽约沃特佛利特(watervliet)的aln开发商crystal is最近完成第一阶段融资,获得近500万美元的风险投资。

  https://www.alighting.cn/news/20041206/103372.htm2004/12/6 0:00:00

致阿拉丁神灯奖主办方暨评委的一封公开信

尊敬的阿拉丁神灯奖主办方暨各位评委:  作为晶能光电的联合创始人和晶和照明的创始人,请允许我向各位评委郑重推荐承载着led中国梦的中国芯——晶能光电硅大功率led芯片。  晶

  http://blog.alighting.cn/wangmin/archive/2013/5/15/317208.html2013/5/15 10:08:53

垂直结构led技术面面观

以提高发光效率。三、是采用异质基板如硅基板成长氮化鎵led磊晶层,优点是散热好、易加工。制造垂直结构led芯片有两种基本方法:剥离生长和不剥离生长 。其中生长在砷化鎵生长

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233187.html2011/8/20 0:26:00

垂直结构led技术面面观

以提高发光效率。三、是采用异质基板如硅基板成长氮化鎵led磊晶层,优点是散热好、易加工。制造垂直结构led芯片有两种基本方法:剥离生长和不剥离生长 。其中生长在砷化鎵生长

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258466.html2011/12/19 10:54:53

垂直结构led技术面面观

以提高发光效率。三、是采用异质基板如硅基板成长氮化鎵led磊晶层,优点是散热好、易加工。制造垂直结构led芯片有两种基本方法:剥离生长和不剥离生长 。其中生长在砷化鎵生长

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261596.html2012/1/8 21:55:11

垂直结构led技术面面观

以提高发光效率。三、是采用异质基板如硅基板成长氮化鎵led磊晶层,优点是散热好、易加工。制造垂直结构led芯片有两种基本方法:剥离生长和不剥离生长 。其中生长在砷化鎵生长

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262772.html2012/1/29 0:44:05

垂直结构led技术面面观

以提高发光效率。三、是采用异质基板如硅基板成长氮化鎵led磊晶层,优点是散热好、易加工。制造垂直结构led芯片有两种基本方法:剥离生长和不剥离生长 。其中生长在砷化鎵生长

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268356.html2012/3/15 21:57:13

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