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年外延芯片价格压力仍将持续。 2011年，大陆GaN芯片产能增长达到12000kk/月，但产能利用不足50%，全年产量仅为710亿颗，但国产化率达到70%以上。同时，大陆芯片已经通
http://blog.alighting.cn/chlhzm/archive/2012/2/6/263674.html2012/2/6 15:40:31
角日亚化学。以GaN作为材料的led，日亚化学仍旧是主要供应商。由于大量的专利保护，GaN技术几乎成为了日亚化学的垄断资产。纵然目前各大巨头都在进行一定的交叉授权，但在日亚化学领
http://blog.alighting.cn/108092/archive/2012/2/4/263601.html2012/2/4 14:56:31
1991年，日亚公司研制成功同质结GaN基蓝光led，峰值波长430nm，光谱半宽55rim，其光输出功率为当时市场上sicled的10倍，外量子效率约为0．18％。 1995
http://blog.alighting.cn/108092/archive/2012/2/4/263597.html2012/2/4 14:50:22
子镇流器晶体管工作波形参考
https://www.alighting.cn/resource/2012/2/2/171520_19.htm2012/2/2 17:15:20
ims research最新一季氮化镓led供求报告结果显示2011年GaN led封装收入比去年减少6%，预计GaN led市场在2012年至2015年期间会逐步回暖，并且由
https://www.alighting.cn/news/20120201/89666.htm2012/2/1 11:27:54
GaN led市场中，照明的份额预计会从2011年的21%升为2016年的49%；照明led收入预计增长超过300%。
https://www.alighting.cn/news/201221/n074637204.htm2012/2/1 9:55:47
大多数led的生产是在一个蓝宝石或碳化硅衬底上沉淀多层GaN薄膜，而晶能认为，基于硅衬底生长的led在成本节约和控制上将发挥更大潜力，并且性能丝毫不亚于传统工艺制作的led，晶能光电
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262785.html2012/1/29 0:45:12
源，持续稳定支持基础研发，突破未来的白光普通照明核心技术，建立长效机制与创新的环境与氛围，在下一轮竞争中占据主导地位。要紧紧跟踪GaN(氮化镓)材料与器件的研究，实现重大装备国产
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262783.html2012/1/29 0:45:06
、采用碳化硅基板生长GaN薄膜，优点是在相同操作电流条件下，光衰少、寿命长，不足处是硅基板会吸光。二、利用芯片黏合及剥离技术制造。优点是光衰少、寿命长，不足处是须对led表面进行处理
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262772.html2012/1/29 0:44:05
向出光利用率。 1999年hp公司开发了倒金字塔形alingap芯片并达到商用的目标，tip结构减少了光在晶体内传输距离、减少了内反射和吸收（有源区吸收和自由截流子吸收等）引起的
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262764.html2012/1/29 0:43:37
